ACCELERATED READ, MODIFY, WRITE OPERATIONS
An article of manufacture includes a non-transitory machine-readable medium. The medium includes instructions. The instructions, when read and executed by a processor, cause the processor to determine that a first input instruction in a code stream to be executed is to perform a read-modify-write op...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | An article of manufacture includes a non-transitory machine-readable medium. The medium includes instructions. The instructions, when read and executed by a processor, cause the processor to determine that a first input instruction in a code stream to be executed is to perform a read-modify-write operation, determine that the first input instruction is to target a memory location, and, based on a determination that the first input instruction is to perform the read-modify-write operation and the determination that the first input instruction is to target the memory location, convert the first input instruction to a second input instruction to target the memory location with a mask to cause an atomic operation to implement the read-modify-write operation.
Un article de fabrication comporte un support non transitoire lisible par machine. Le support comporte des instructions. Les instructions, lorsqu'elles sont lues et exécutées par un processeur, amènent le processeur à déterminer qu'une première instruction d'entrée dans un flux de code à exécuter doit effectuer une opération de lecture-modification-écriture (RMW), déterminent que la première instruction d'entrée doit cibler un emplacement de mémoire, et, sur la base d'une détermination que la première instruction d'entrée doit effectuer l'opération de lecture-modification-écriture et de la détermination que la première instruction d'entrée doit cibler l'emplacement de mémoire, convertissent la première instruction d'entrée en une seconde instruction d'entrée pour cibler l'emplacement de mémoire avec un masque pour provoquer une opération atomique pour mettre en œuvre l'opération de lecture-modification-écriture. |
---|