CENTRALIZED SRAM ERROR LOCATION DETECTION AND RECOVERY MECHANISM
A data storage device includes two or more memory devices and a controller coupled to the two or more memory devices. The controller is configured to program data to one or more memory devices of the two or more memory devices, select one or more of the one or more memory devices to have additional...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A data storage device includes two or more memory devices and a controller coupled to the two or more memory devices. The controller is configured to program data to one or more memory devices of the two or more memory devices, select one or more of the one or more memory devices to have additional ECC for the data of the one or more memory devices, program the additional ECC to a first memory device. The data is programmed with error correction code (ECC). The first memory device is distinct from the one or more memory devices. The first memory device is disposed in a central module, where the central module includes additional decoding capability. The additional ECC and the corresponding data with ECC are concatenated and decoded for additional error correction capability.
L'invention concerne un dispositif de stockage de données comprenant au moins deux dispositifs de mémoire et un dispositif de commande couplé auxdits au moins deux dispositifs de mémoire. Le dispositif de commande est configuré pour programmer des données vers un ou plusieurs dispositif(s) de mémoire desdits au moins deux dispositifs de mémoire, sélectionner un ou plusieurs parmi lesdits au moins deux dispositifs de mémoire pour avoir un code de correction d'erreurs (ECC) supplémentaire pour les données desdits au moins deux dispositifs de mémoire, programmer ledit code ECC supplémentaire dans un premier dispositif de mémoire. Les données sont programmées avec un code de correction d'erreur (ECC). Le premier dispositif de mémoire est distinct dudit au moins un ou desdits au moins deux dispositif(s) de mémoire. Le premier dispositif de mémoire est disposé dans un module central, le module central comprenant une capacité de décodage supplémentaire. Le code ECC supplémentaire et les données correspondantes avec le code ECC sont concaténés et décodés pour une capacité de correction d'erreurs supplémentaire. |
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