CIRCUIT AND METHOD OF SHUTDOWN FOR BIAS NETWORK IN HIGH VOLTAGE AMPLIFIER
A power amplifier has an amplifier cell (350) with an input terminal (352) receiving an input signal and an output terminal (386) providing an output signal. A bias network (408) is coupled to the output terminal (386) of the amplifier cell to provide a bias signal to the amplifier cell (350). A shu...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A power amplifier has an amplifier cell (350) with an input terminal (352) receiving an input signal and an output terminal (386) providing an output signal. A bias network (408) is coupled to the output terminal (386) of the amplifier cell to provide a bias signal to the amplifier cell (350). A shutdown circuit (410) is coupled to the bias network to disable the bias network (408) in response to the input signal. The shutdown circuit (410) has a transistor (420, 422) with a first conduction terminal coupled to the bias network (408), a second conduction terminal coupled to a power supply terminal. The shutdown circuit (410) further has a first resistor (412) and a second resistor (414) coupled to the first resistor (412) at a node. The control terminal of the transistor (420, 422) is coupled to the node.
La présente divulgation concerne un amplificateur de puissance qui comprend une cellule d'amplificateur (350) avec une borne d'entrée (352) recevant un signal d'entrée et une borne de sortie (386) fournissant un signal de sortie. Un réseau de polarisation (408) est couplé à la borne de sortie (386) de la cellule d'amplificateur pour fournir un signal de polarisation à la cellule d'amplificateur (350). Un circuit d'arrêt (410) est couplé au réseau de polarisation pour désactiver le réseau de polarisation (408) en réponse au signal d'entrée. Le circuit d'arrêt (410) comporte un transistor (420, 422) avec une première borne de conduction couplée au réseau de polarisation (408), une deuxième borne de conduction couplée à une borne d'alimentation électrique. Le circuit d'arrêt (410) comprend en outre une première résistance (412) et une deuxième résistance (414) couplée à la première résistance (412) au niveau d'un nœud. La borne de commande du transistor (420, 422) est couplée au nœud. |
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