THIN-FILM LED ARRAY WITH LOW REFRACTIVE INDEX PATTERNED STRUCTURES

Described are light emitting diode (LED) devices having a patterned dielectric layer on a substrate and methods for effectively growing epitaxial III-nitride layers on them. A nucleation layer, comprising a III-nitride material, is grown on a substrate before any patterning takes place. The patterned dielectric layer comprises a first plurality of features and a second plurality of features, where the second plurality of features has a height larger than the height of the first plurality of features. The second plurality of features aligns with the cathode layer of the trench. L'invention concerne des dispositifs à diodes électroluminescentes (DEL) présentant une couche diélectrique à motifs sur un substrat et des procédés pour une croissance efficace des couches épitaxiales à base de nitrure III sur ceux-ci. Une couche de nucléation, comprenant un matériau à base de nitrure III, est développée sur un substrat avant toute formation de motif. La couche diélectrique à motifs comprend une première pluralité d'éléments et une seconde pluralité d'éléments, la seconde pluralité d'éléments ayant une hauteur supérieure à la hauteur de la première pluralité d'éléments. La seconde pluralité d'éléments est en alignement avec la couche cathodique de la tranchée.