METHODS FOR WET ATOMIC LAYER ETCHING OF COPPER

The present disclosure provides a new wet atomic layer etch (ALE) process for etching copper. More specifically, the present disclosure provides various embodiments of methods that utilize new etch chemistries for etching copper in a wet ALE process. By utilizing the new etch chemistries disclosed herein within a wet ALE process, the present disclosure provides a highly selective etch of copper with monolayer precision. La présente divulgation concerne un nouveau procédé de gravure par couche atomique (ALE) humide pour la gravure de cuivre. Plus spécifiquement, la présente divulgation concerne divers modes de réalisation de procédés qui utilisent de nouvelles chimies de gravure pour graver du cuivre dans un procédé d'ALE humide. En utilisant les nouvelles compositions chimiques de gravure présentement divulguées dans un procédé d'ALE humide, la présente divulgation concerne une gravure hautement sélective de cuivre avec une précision monocouche.