ELASTIC WAVE DEVICE, FILTER, SPLITTER, AND COMMUNICATION DEVICE

This elastic wave device has a multilayer film, a piezoelectric film, and an IDT electrode. The multilayer film is configured by alternately layering a first layer and a second layer that has a higher acoustic impedance than that of the first layer. The piezoelectric film is located over the multilayer film, and allows Lamb waves of an A1 mode to propagate. The IDT electrode is located over the piezoelectric film, and excites the Lamb waves. Where x is a normalized thickness of the first layer and y is a normalized thickness of the second layer, the values of x and y may be located in the range where MaxPhase is 82.2° or higher in fig. 1 if the material of the piezoelectric film is an LT single crystal. If the material of the piezoelectric film is an LN single crystal, the values of x and y may be located in the range where MaxPhase is 83.4° or higher in fig. 2. Ce dispositif à ondes élastiques comporte un film multicouche, un film piézoélectrique et une électrode IDT. Le film multicouche est configuré par stratification en alternance d'une première couche et d'une seconde couche qui a une impédance acoustique supérieure à celle de la première couche. Le film piézoélectrique est situé au-dessus du film multicouche et permet aux ondes de Lamb d'un mode A1 de se propager. L'électrode IDT est située sur le film piézoélectrique et excite les ondes de Lamb. Lorsque x est une épaisseur normalisée de la première couche et y est une épaisseur normalisée de la seconde couche, les valeurs de x et y peuvent être situées dans la plage où la phase maximale est supérieure ou égale à 82,2° sur la Figure 1 si le matériau du film piézoélectrique est un monocristal de LT. Si le matériau du film piézoélectrique est un monocristal de LN, les valeurs de x et de y peuvent être situées dans la plage où la phase maximale est supérieure ou égale à 83,4° sur la Figure 2. 弾性波装置は、多層膜と、圧電膜と、ＩＤＴ電極とを有している。多層膜は、第１層と、該第１層の音響インピーダンスよりも高い音響インピーダンスを有している第２層と、が交互に積層されて構成されている。圧電膜は、多層膜上に位置しており、Ａ１モードのラム波を伝搬させる。ＩＤＴ電極は、圧電膜上に位置しており、上記ラム波を励振する。第１層の規格化厚さをｘとし、第２層の規格化厚さをｙとする。このとき、圧電膜の材料がＬＴの単結晶である場合は、ｘ及びｙの値は、図１においてＭａｘＰｈａｓｅが８２．２°以上となる範囲に位置してよい。圧電膜の材料がＬＮの単結晶である場合は、ｘ及びｙの値は、図２においてＭａｘＰｈａｓｅが８３．４°以上となる範囲に位置してよい。