SYSTEM AND METHOD FOR CARBON PLUG FORMATION
One example provides a fabrication tool comprising a chamber, a pedestal electrode and a showerhead electrode arranged in the chamber, one or more gas inlets into the chamber, a vacuum pump system, a radiofrequency (RF) power source configured to form an RF plasma between the pedestal electrode and...
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| creator | SCHROEDER, Todd ANJOS RIGSBY, Daniela |
| description | One example provides a fabrication tool comprising a chamber, a pedestal electrode and a showerhead electrode arranged in the chamber, one or more gas inlets into the chamber, a vacuum pump system, a radiofrequency (RF) power source configured to form an RF plasma between the pedestal electrode and the showerhead electrode, and a controller comprising a processor and memory. The memory comprises instructions executable by the processor to operate the flow control hardware to introduce a hydrogen-containing reducing agent and a hydrocarbon gas into the chamber, and to operate the RF power source to form a plasma between the pedestal electrode and the showerhead electrode to fully deposit a carbon plug in a recess of a workpiece positioned on a pedestal within the chamber in a single plasma deposition cycle with no intermediate carbon removal process.
Un exemple de l'invention concerne un outil de fabrication comprenant une chambre, une électrode à piédestal et une électrode de tête de projection agencées dans la chambre, une ou plusieurs entrées de gaz vers la chambre, un système de pompe à vide, une source d'alimentation radiofréquence (RF) configurée pour former un plasma RF entre l'électrode à piédestal et l'électrode de tête de projection, et un dispositif de commande comprenant un processeur et une mémoire. La mémoire comprend des instructions exécutables par le processeur pour faire fonctionner le matériel de commande d'écoulement pour introduire un agent réducteur contenant de l'hydrogène et un hydrocarbure gazeux dans la chambre, et pour faire fonctionner la source d'alimentation RF pour former un plasma entre l'électrode à piédestal et l'électrode de tête de projection pour déposer complètement un bouchon de carbone dans un évidement d'une pièce de fabrication positionnée sur un piédestal au sein de la chambre en un cycle unique de dépôt par plasma sans processus intermédiaire de retrait de carbone. |
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Un exemple de l'invention concerne un outil de fabrication comprenant une chambre, une électrode à piédestal et une électrode de tête de projection agencées dans la chambre, une ou plusieurs entrées de gaz vers la chambre, un système de pompe à vide, une source d'alimentation radiofréquence (RF) configurée pour former un plasma RF entre l'électrode à piédestal et l'électrode de tête de projection, et un dispositif de commande comprenant un processeur et une mémoire. La mémoire comprend des instructions exécutables par le processeur pour faire fonctionner le matériel de commande d'écoulement pour introduire un agent réducteur contenant de l'hydrogène et un hydrocarbure gazeux dans la chambre, et pour faire fonctionner la source d'alimentation RF pour former un plasma entre l'électrode à piédestal et l'électrode de tête de projection pour déposer complètement un bouchon de carbone dans un évidement d'une pièce de fabrication positionnée sur un piédestal au sein de la chambre en un cycle unique de dépôt par plasma sans processus intermédiaire de retrait de carbone.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230511&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023081584A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230511&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023081584A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SCHROEDER, Todd</creatorcontrib><creatorcontrib>ANJOS RIGSBY, Daniela</creatorcontrib><title>SYSTEM AND METHOD FOR CARBON PLUG FORMATION</title><description>One example provides a fabrication tool comprising a chamber, a pedestal electrode and a showerhead electrode arranged in the chamber, one or more gas inlets into the chamber, a vacuum pump system, a radiofrequency (RF) power source configured to form an RF plasma between the pedestal electrode and the showerhead electrode, and a controller comprising a processor and memory. The memory comprises instructions executable by the processor to operate the flow control hardware to introduce a hydrogen-containing reducing agent and a hydrocarbon gas into the chamber, and to operate the RF power source to form a plasma between the pedestal electrode and the showerhead electrode to fully deposit a carbon plug in a recess of a workpiece positioned on a pedestal within the chamber in a single plasma deposition cycle with no intermediate carbon removal process.
Un exemple de l'invention concerne un outil de fabrication comprenant une chambre, une électrode à piédestal et une électrode de tête de projection agencées dans la chambre, une ou plusieurs entrées de gaz vers la chambre, un système de pompe à vide, une source d'alimentation radiofréquence (RF) configurée pour former un plasma RF entre l'électrode à piédestal et l'électrode de tête de projection, et un dispositif de commande comprenant un processeur et une mémoire. La mémoire comprend des instructions exécutables par le processeur pour faire fonctionner le matériel de commande d'écoulement pour introduire un agent réducteur contenant de l'hydrogène et un hydrocarbure gazeux dans la chambre, et pour faire fonctionner la source d'alimentation RF pour former un plasma entre l'électrode à piédestal et l'électrode de tête de projection pour déposer complètement un bouchon de carbone dans un évidement d'une pièce de fabrication positionnée sur un piédestal au sein de la chambre en un cycle unique de dépôt par plasma sans processus intermédiaire de retrait de carbone.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNAOjgwOcfVVcPRzUfB1DfHwd1Fw8w9ScHYMcvL3UwjwCXUH8X0dQzz9_XgYWNMSc4pTeaE0N4Oym2uIs4duakF-fGpxQWJyal5qSXy4v5GBkbGBhaGphYmjoTFxqgD8qiXA</recordid><startdate>20230511</startdate><enddate>20230511</enddate><creator>SCHROEDER, Todd</creator><creator>ANJOS RIGSBY, Daniela</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230511</creationdate><title>SYSTEM AND METHOD FOR CARBON PLUG FORMATION</title><author>SCHROEDER, Todd ; ANJOS RIGSBY, Daniela</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2023081584A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SCHROEDER, Todd</creatorcontrib><creatorcontrib>ANJOS RIGSBY, Daniela</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SCHROEDER, Todd</au><au>ANJOS RIGSBY, Daniela</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SYSTEM AND METHOD FOR CARBON PLUG FORMATION</title><date>2023-05-11</date><risdate>2023</risdate><abstract>One example provides a fabrication tool comprising a chamber, a pedestal electrode and a showerhead electrode arranged in the chamber, one or more gas inlets into the chamber, a vacuum pump system, a radiofrequency (RF) power source configured to form an RF plasma between the pedestal electrode and the showerhead electrode, and a controller comprising a processor and memory. 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Un exemple de l'invention concerne un outil de fabrication comprenant une chambre, une électrode à piédestal et une électrode de tête de projection agencées dans la chambre, une ou plusieurs entrées de gaz vers la chambre, un système de pompe à vide, une source d'alimentation radiofréquence (RF) configurée pour former un plasma RF entre l'électrode à piédestal et l'électrode de tête de projection, et un dispositif de commande comprenant un processeur et une mémoire. La mémoire comprend des instructions exécutables par le processeur pour faire fonctionner le matériel de commande d'écoulement pour introduire un agent réducteur contenant de l'hydrogène et un hydrocarbure gazeux dans la chambre, et pour faire fonctionner la source d'alimentation RF pour former un plasma entre l'électrode à piédestal et l'électrode de tête de projection pour déposer complètement un bouchon de carbone dans un évidement d'une pièce de fabrication positionnée sur un piédestal au sein de la chambre en un cycle unique de dépôt par plasma sans processus intermédiaire de retrait de carbone.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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