ERASE POWER LOSS INDICATOR (EPLI) IMPLEMENTATION IN FLASH MEMORY DEVICE

A non-volatile memory has an array of non-volatile memory cells, first reference word lines and second reference word lines, and sense amplifiers. The sense amplifiers read system data, that has been written to supplemental non-volatile memory cells of the first reference word lines, using comparison of the supplemental non-volatile memory cells of the first reference word lines to supplemental non-volatile memory cells of the second reference word lines. Status of erasure of the non-volatile memory cells of the array is determined based on reading the system data. L'invention concerne une mémoire non volatile comprenant un réseau de cellules de mémoire non volatile, des premières lignes de mots de référence et des secondes lignes de mots de référence, et des amplificateurs de détection. Les amplificateurs de détection lisent des données de système, qui ont été écrites dans des cellules de mémoire non volatile supplémentaires des premières lignes de mots de référence, au moyen d'une comparaison des cellules de mémoire non volatile supplémentaires des premières lignes de mots de référence à des cellules de mémoire non volatile supplémentaires des secondes lignes de mots de référence. L'état d'effacement des cellules de mémoire non volatile du réseau est déterminé sur la base de la lecture des données de système.