WAFER EDGE INSPECTION OF CHARGED PARTICLE INSPECTION SYSTEM

An improved method of wafer inspection is disclosed. The improved method includes a non- transitory computer-readable medium storing a set of instructions that are executable by at least one processor of a device to cause the device to perform a method comprising: placing the wafer at a location on a stage; moving one or more movable segments of a conductive ring inward in a radial direction to enable the conductive ring to be within a predetermined distance from an edge of the wafer; and adjusting a voltage applied to the conductive ring or to a voltage applied to the wafer so that to enable the voltage applied to the conductive ring to be substantially equal to the voltage applied to the wafer to provide a substantially consistent electric field across an inner portion of the conductive ring and an outer portion of the wafer. Est divulgué un procédé amélioré d'inspection de tranche. Le procédé amélioré comprend un support lisible par ordinateur non transitoire stockant un ensemble d'instructions exécutables par au moins un processeur d'un dispositif pour amener le dispositif à effectuer un procédé consistant à : mettre en place la tranche à un emplacement sur une platine ; déplacer un ou plusieurs segments mobiles d'une bague conductrice vers l'intérieur dans une direction radiale afin de permettre à la bague conductrice de se trouver à une distance prédéterminée d'un bord de la tranche ; et régler une tension appliquée à la bague conductrice ou à une tension appliquée à la tranche de façon à permettre à la tension appliquée à la bague conductrice d'être sensiblement égale à la tension appliquée à la tranche afin de fournir un champ électrique sensiblement constant sur une partie interne de la bague conductrice et une partie externe de la tranche.