RESIN, INSULATING FILM AND ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR COMPRISING SAME

The present invention provides a resin which enables the production of an organic field effect transistor element which has excellent resistance to bias stress by being used as a gate insulating film layer for an organic field effect transistor. The present invention provides a resin which comprises a repeating unit represented by formula (1) and a repeating unit represented by formula (2), wherein: the repeating unit represented by formula (2) has a HOMO level of -6.4 eV or less; and 20% by mole or more of the repeating unit represented by formula (2) is contained relative to the total amount of the repeating unit represented by formula (1) and the repeating unit represented by formula (2). La présente invention concerne une résine qui permet la production d'un élément de transistor à effet de champ organique qui présente une excellente résistance à la contrainte de polarisation en étant utilisé en tant que couche de film d'isolation de grille pour un transistor à effet de champ organique. La présente invention concerne une résine qui comprend une unité de répétition représentée par la formule (1) et une unité de répétition représentée par la formule (2), dans laquelle : l'unité de répétition représentée par la formule (2) a un niveau HOMO inférieur ou égal à -6,4 eV ; et 20 % en moles ou plus de l'unité de répétition représentée par la formule (2) est contenue par rapport à la quantité totale de l'unité de répétition représentée par la formule (1) et l'unité de répétition représentée par la formule (2). 有機電界効果トランジスタデバイスのゲート絶縁膜層として用いることで、優れたバイアスストレス耐性を有する有機電界効果トランジスタデバイス素子を作製可能な樹脂を提供する。 式（１）で表される反復単位及び式（２）で表される反復単位を含む樹脂であって、式（２）で表される反復単位が有するＨＯＭＯ準位が－６．４ｅＶ以下であり、式（１）で表される反復単位及び式（２）で表される反復単位の総数に対して式（２）で表される反復単位を２０モル％以上含む樹脂。