STRUCTURE CONTAINING A VIA-TO-BURIED POWER RAIL CONTACT STRUCTURE OR A VIA-TO-BACKSIDE POWER RAIL CONTACT STRUCTURE

A semiconductor structure is provided in which a via to buried power rail (VBPR) contact structure is present that has a via portion contacting a buried power rail and a non-via portion contacting a source/drain region of a first functional gate structure present in a first device region. A dielectric spacer structure including a base dielectric spacer and a replacement dielectric spacer is located between the VPBR contact structure and the first functional gate structure. The replacement dielectric spacer is composed of a gate cut trench dielectric material that is also present in a gate cut trench that is located between the first functional gate structure present in the first device region, and a second functional gate structure that is present in a second device region. The replacement dielectric spacer replaces a damaged region of a dielectric spacer that is originally present during VBPR formation. L'invention concerne une structure semi-conductrice dans laquelle une structure de contact de trou d'interconnexion-rail d'alimentation enfoui (VBPR) est présente qui présente une partie trou d'interconnexion en contact avec un rail d'alimentation enfoui et une partie sans trou d'interconnexion en contact avec une région de source/drain d'une première structure de grille fonctionnelle présente dans une première région de dispositif. Une structure d'espaceur diélectrique comprenant un espaceur diélectrique de base et un espaceur diélectrique de remplacement est située entre la structure de contact VPBR et la première structure de grille fonctionnelle. L'espaceur diélectrique de remplacement est composé d'un matériau diélectrique de tranchée de coupure de grille qui est également présent dans une tranchée de coupure de grille qui est située entre la première structure de grille fonctionnelle présente dans la première région de dispositif et une seconde structure de grille fonctionnelle qui est présente dans une seconde région de dispositif. L'espaceur diélectrique de remplacement remplace une région endommagée d'un espaceur diélectrique qui est présent à l'origine pendant la formation du VBPR.