ELECTRONIC SWITCHING DEVICE

The present invention relates to an electronic switching device, in particular to tunnel junctions, comprising an organic molecular layer for use in memory, sensors, field-effect transistors or Josephson junctions. More particularly, the invention is included in the field of random access non-volatile memristive memories (RRAM). Another aspect of the invention relates to a compound of formula (I) in which the occurring groups habe the meanings defined in claim 1, for use in the molecular layer. The invention further relates to the use of said molecular layer and to processes for the production and operation of the electronic switching element and components based thereon. La présente invention concerne un dispositif de commutation électronique, en particulier des jonctions tunnel, comprenant une couche moléculaire organique destinée à être utilisée dans une mémoire, des capteurs, des transistors à effet de champ ou des jonctions Josephson. Plus particulièrement, l'invention relève du domaine des mémoires memristives non volatiles à accès aléatoire (RRAM). Un autre aspect de l'invention concerne un composé de formule (I), les groupes apparaissant ayant les significations définies dans la revendication 1, destiné à être utilisé dans la couche moléculaire. L'invention concerne en outre l'utilisation de ladite couche moléculaire et des procédés pour la production et le fonctionnement de l'élément de commutation électronique et des composants à base de celui-ci.