METHODS, SYSTEMS, AND APPARATUS FOR CONDUCTING A RADICAL TREATMENT OPERATION PRIOR TO CONDUCTING AN ANNEALING OPERATION

Aspects of the present disclosure relate to methods, systems, and apparatus for conducting a radical treatment operation on a substrate prior to conducting an annealing operation on the substrate. In one implementation, a method of processing semiconductor substrates includes pre-heating a substrate, and exposing the substrate to species radicals. The exposing of the substrate to the species radicals includes a treatment temperature that is less than 300 degrees Celsius, a treatment pressure that is less than 1.0 Torr, and a treatment time that is within a range of 8.0 minutes to 12.0 minutes. The method includes annealing the substrate after exposing the substrate to the species radicals. The annealing includes exposing the substrate to molecules, an anneal temperature that is 300 degrees Celsius or greater, an anneal pressure that is within a range of 500 Torr to 550 Torr, and an anneal time that is less than 4.0 minutes. Des aspects de la présente divulgation se rapportent à des procédés, à des systèmes et à un appareil destinés à la réalisation d'une opération de traitement de radicaux sur un substrat avant la réalisation d'une opération de recuit sur le substrat. Dans un mode de réalisation, un procédé de traitement de substrats semi-conducteurs consiste à préchauffer un substrat et à exposer le substrat à des radicaux d'espèces. L'exposition du substrat aux radicaux d'espèces implique une température de traitement qui est inférieure à 300 degrés Celsius, une pression de traitement qui est inférieure à 1,0 Torr et un temps de traitement qui est compris dans une plage de 8,0 minutes à 12,0 minutes. Le procédé consiste à effectuer le recuit du substrat après l'exposition du substrat aux radicaux d'espèces. Le recuit consiste à exposer le substrat à des molécules, à une température de recuit qui est égale ou supérieure à 300 degrés Celsius, à une pression de recuit qui est comprise dans une plage de 500 Torr à 550 Torr et à un temps de recuit qui est inférieur à 4,0 minutes.