LOW-DEFECT CARBON NANOTUBE SLUDGE AND PREPARATION METHOD THEREFOR, CONDUCTIVE COMPOSITE MATERIAL BASED ON THE LOW-DEFECT CARBON NANOTUBE, NEGATIVE ELECTRODE SLURRY USING SAME, NEGATIVE ELECTRODE, AND LITHIUM SECONDARY BATTERY

The present invention relates to a low-defect carbon nanotube sludge and a preparation method therefor, a conductive composite material based on the low-defect carbon nanotube, a negative electrode slurry using same, a negative electrode, and a lithium secondary battery, and has the technical gist o...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KIM, Ick Jun, JEONG, Hee Jin, LEE, Geon Woong, SEO, Seon Hee, YANG, Sun Hye, KIM, Jung Mo, KIM, See Un, JEONG, Seung Yol
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to a low-defect carbon nanotube sludge and a preparation method therefor, a conductive composite material based on the low-defect carbon nanotube, a negative electrode slurry using same, a negative electrode, and a lithium secondary battery, and has the technical gist of comprising carbon nanotubes that have crystallinity while satisfying relational expression 1 below. [relational expression 1] 5 ≤ IG/ID ≤ 50 (wherein IG/ID is a value calculated as a ratio of a maximum peak intensity (IG) measured at 1,580 ± 50㎝-1 to a maximum peak intensity (ID) measured at 1,360 ± 50㎝-1 in a wavenumber region of a Raman spectrum.) La présente invention concerne une boue de nanotubes de carbone à faible défaut et son procédé de préparation, un matériau composite conducteur basé sur le nanotube de carbone à faible défaut, une suspension d'électrode négative utilisant celui-ci, une électrode négative et une batterie secondaire au lithium, et présente l'essentiel technique consistant à comprendre des nanotubes de carbone qui présentent une cristallinité tout en satisfaisant l'expression relationnelle 1 ci-dessous. [Expression relationnelle 1] 5 ≤ IG/ID ≤ 50 (dans laquelle IG/ID est une valeur calculée en tant que rapport d'une intensité de crête maximale (IG) mesurée à 1,580 ± 50㎝-1 sur une de crête maximale (ID) mesurée à 1,360 ± 50㎝-1 dans une région de nombres d'ondes d'un spectre Raman.) 본 발명은 저결함 탄소나노튜브 슬러지 및 그 제조방법, 상기 저결함 탄소나노튜브 기반 전도성 복합소재, 이를 이용한 음극 슬러리, 음극 및 리튬 이차전지에 관한 것으로, 하기 관계식 1을 만족하여 결정성을 갖는 탄소나노튜브를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. [관계식 1] 5 ≤ IG/ID ≤ 50 (단, IG/ID는 라만 스펙트럼의 파수 영역 중 1,580 ± 50㎝-1에서 측정되는 최대 피크 세기(IG)와, 1,360 ± 50㎝-1에서 측정되는 최대 피크 세기(ID)의 비로 계산된 값이다.)