IMPROVED HEATER FOR RETROGRADE SOLVOTHERMAL CRYSTAL GROWTH, METHOD OF MAKING, AND METHOD OF USE

Embodiments of the disclosure an apparatus for solvothermal crystal growth, comprising: a pressure vessel having a cylindrical shape and a vertical orientation; a cylindrical heater having an upper zone and a lower zone that can be independently controlled; at least one end heater; and an inward-facing surface of a baffle placed within 100 millimeters of a bottom end or top end surface of the growth chamber. The end heater is configured to enable: a variation in the temperature distribution along a first surface to be less than about 10 °C, and a variation in the temperature distribution along a second surface to be less than about 20 °C, during a crystal growth process. The first surface has a cylindrical shape and is positioned within the pressure vessel, and the second surface comprises an inner diameter of the growth chamber, and the temperature distribution along the second surface is created within an axial distance of at least 100 millimeters of an end of the growth chamber proximate to the first surface. Des modes de réalisation de la présente invention concernent un appareil de croissance de cristaux solvothermique, comprenant : une cuve sous pression ayant une forme cylindrique et une orientation verticale ; un dispositif de chauffage cylindrique comportant une zone supérieure et une zone inférieure qui peuvent être commandées indépendamment ; au moins un élément chauffant d'extrémité ; et une surface orientée vers l'intérieur d'un déflecteur placé à au plus 100 millimètres d'une surface d'extrémité inférieure ou d'extrémité supérieure de la chambre de croissance. Le dispositif de chauffage d'extrémité est configuré pour permettre : une variation de la distribution de température le long d'une première surface de façon à être inférieure à environ 10 °C, et une variation de la distribution de température le long d'une deuxième surface de façon à être inférieure à environ 20 °C, pendant un processus de croissance de cristaux. La première surface a une forme cylindrique et est positionnée à l'intérieur de la cuve sous pression, et la deuxième surface comprend un diamètre interne de la chambre de croissance, et la distribution de température le long de la deuxième surface est créée à une distance axiale d'au moins 100 millimètres d'une extrémité de la chambre de croissance à proximité de la première surface.