DYNAMIC SENSING LEVELS FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICES
Systems, methods, and devices dynamically determine sensing levels for memory devices. Devices include nonvolatile memory cells included in a plurality of memory sectors, a plurality of static reference cells configured to represent a first reference value for distinguishing between memory states, a...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Systems, methods, and devices dynamically determine sensing levels for memory devices. Devices include nonvolatile memory cells included in a plurality of memory sectors, a plurality of static reference cells configured to represent a first reference value for distinguishing between memory states, and a plurality of dynamic reference cells configured to represent the first reference value after a designated amount of memory sector activity. Devices also include a comparator configured to be coupled to at least one memory cell of the plurality of memory cells and to at least two of the plurality of static reference cells and the plurality of dynamic reference cells, and further configured to determine a memory state of the at least one memory cell based, at least in part, on a second reference value determined by a combination of at least two of the plurality of static reference cells and the plurality of dynamic reference cells.
Des systèmes, des procédés et des dispositifs déterminent de manière dynamique des niveaux de détection pour des dispositifs de mémoire. Les dispositifs comprennent des cellules de mémoire non volatile incluses dans une pluralité de secteurs de mémoire, une pluralité de cellules de référence statiques configurées pour représenter une première valeur de référence pour une distinction entre des états de mémoire, et une pluralité de cellules de référence dynamiques configurées pour représenter la première valeur de référence après une quantité désignée d'activité de secteur de mémoire. Les dispositifs comprennent également un comparateur configuré pour être couplé à au moins une cellule de mémoire de la pluralité de cellules de mémoire et à au moins deux cellules de mémoire de la pluralité de cellules de référence statiques et de la pluralité de cellules de référence dynamiques, et configuré en outre pour déterminer un état de mémoire de ladite au moins une cellule de mémoire sur la base, au moins en partie, d'une seconde valeur de référence déterminée par une combinaison d'au moins deux de la pluralité de cellules de référence statiques et de la pluralité de cellules de référence dynamiques. |
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