RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, POLYMER COMPOUND, AND COMPOUND

Provided is a resist composition which generates an acid upon exposure to light and for which the solubility in a developing solution changes due to the action of an acid. The resist composition contains a resin component (A1) for which the solubility in a developing solution changes due to the acti...

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Hauptverfasser: FUJINAMI Tetsuo, ISHII Shuichi, KATO Hiroki
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is a resist composition which generates an acid upon exposure to light and for which the solubility in a developing solution changes due to the action of an acid. The resist composition contains a resin component (A1) for which the solubility in a developing solution changes due to the action of an acid. The resin component (A1) has a constituent unit (a0) derived from a compound represented by general formula (a0). In the formula, W is a polymerizable group. Ar is an aromatic hydrocarbon group. -OH is a hydroxyl group. La0 is a divalent linking group. Ya0 is a single bond or a divalent linking group. Ra01 and Ra02 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. n0 is an integer between 1 and 4. m is an integer of 1 or higher, and Mm+ is an organic cation having a valency of m. L'invention concerne une composition de réserve qui génère un acide lors de l'exposition à la lumière et pour laquelle la solubilité dans une solution de développement change en raison de l'action d'un acide. La composition de réserve contient un composant de résine (A1) pour lequel la solubilité dans une solution de développement change en raison de l'action d'un acide. Le composant de résine (A1) a une unité constitutive (a0) dérivée d'un composé représenté par la formule générale (a0). Dans la formule, W est un groupe polymérisable. Ar est un groupe hydrocarboné aromatique. -OH est un groupe hydroxyle. La0 est un groupe de liaison divalent. Ya0 est une liaison simple ou un groupe de liaison divalent. Ra01 et Ra02 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un atome de fluor ou un groupe alkyle fluoré. n0 est un nombre entier compris entre 1 et 4. m est un nombre entier supérieur ou égal à 1, et Mm+ est un cation organique ayant une valence de m. 露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、前記樹脂成分(A1)は、下記一般式(a0)で表される化合物から誘導される構成単位(a0)を有する、レジスト組成物(式中、Wは重合性基である。Arは、芳香族炭化水素基である。-OHは、ヒドロキシ基である。La0は、2価の連結基である。Ya0は、単結合又は2価の連結基である。Ra01及びRa02は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はフッ素化アルキル基である。n0は、1~4の整数である。mは1以上の整数であって、Mm+はm価の有機カチオンである)。