PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD

Provided is technology for performing plasma processing by supplying a high density of radicals to a substrate from a process gas that has been converted to a plasma. This device for performing plasma processing by supplying a process gas that has been converted to a plasma to a substrate inside a chamber is provided with a remote plasma supply part for co-feeding the process gas toward the inside of the chamber. The remote plasma supply part is provided with: an upper electrode and lower electrode that are disposed so as to face each other, one of which is connected to a high frequency power source; plasma supply ports that have an opening side wall surface, the opening width of which increases gradually toward the substrate inside the chamber; and ion trap members that are inserted in the plasma supply ports and have a trapping surface for forming a flow channel for the process gas that has been converted to a plasma between the trapping surface and the opening side wall surface and for trapping ions contained in the process gas that has been converted to a plasma. L'invention concerne une technologie permettant d'effectuer un traitement par plasma à l'aide de l'apport d'une haute densité de radicaux à un substrat, à partir d'un gaz de traitement ayant été converti en un plasma. Un dispositif destiné à effectuer un traitement par plasma à l'aide de l'alimentation en un gaz de traitement, ayant été converti en un plasma, d'un substrat à l'intérieur d'une chambre, est muni d'une partie d'alimentation en plasma à distance permettant de coalimenter le gaz de traitement vers l'intérieur de la chambre. La partie d'alimentation en plasma à distance comprend : une électrode supérieure et une électrode inférieure disposées de façon à être orientées l'une vers l'autre, l'une des électrodes étant connectée à une source d'énergie haute fréquence ; des orifices d'alimentation en plasma comportant une surface de paroi latérale à ouverture, dont la largeur de l'ouverture augmente progressivement vers le substrat à l'intérieur de la chambre ; et des éléments piège à ions introduits dans les orifices d'alimentation en plasma et comportant une surface de piégeage permettant de former un canal d'écoulement destiné au gaz de traitement ayant été converti en un plasma entre la surface de piégeage et la surface de paroi latérale à ouverture, et permettant de piéger des ions contenus dans le gaz de traitement ayant été converti en un plasma. プラズマ化した処理ガスから、基板に対して高密度のラジカルを供給してプラ