HIGH-FREQUENCY SEMICONDUCTOR PACKAGE

A substrate (3) is provided on a metal plate (1). A semiconductor chip (4) is provided on the metal plate (1) within an opening (2) in the substrate (3). An input feedthrough (8) and an output feedthrough (9), which are provided on the substrate (3), are connected by wire to an input pad (5) and an output pad (6), respectively, of the semiconductor chip (4). A metal sealing ring (12) is provided on the substrate (3) and electrically connected to the metal plate (1) via a through-hole (15). A conductive cap (14) is joined to the metal sealing ring (12) and covers the semiconductor chip (4) from above. Both ends of a metal wire (13) for isolation are electrically connected to the metal plate (1), and a loop is in contact with the lower surface of the conductive cap (14). The metal wire (13) for isolation constitutes an isolation wall that divides an internal space into a region including the input feedthrough (8) and a region including the output feedthrough (9). Un substrat (3) est disposé sur une plaque métallique (1). Une puce semi-conductrice (4) est disposée sur la plaque métallique (1) dans une ouverture (2) dans le substrat (3). Un trou d'interconnexion d'entrée (8) et un trou d'interconnexion de sortie (9), qui sont disposés sur le substrat (3), sont connectés par un fil à un plot d'entrée (5) et à un plot de sortie (6), respectivement, de la puce semi-conductrice (4). Une bague d'étanchéité métallique (12) est disposée sur le substrat (3) et électriquement connectée à la plaque métallique (1) par l'intermédiaire d'un trou traversant (15). Un capuchon conducteur (14) est relié à la bague d'étanchéité métallique (12) et recouvre la puce semi-conductrice (4) par le dessus. Les deux extrémités d'un fil métallique (13) pour isolation sont électriquement connectées à la plaque métallique (1), et une boucle est en contact avec la surface inférieure du capuchon conducteur (14). Le fil métallique (13) pour isolation constitue une paroi d'isolation qui divise un espace interne en une région comprenant le trou d'interconnexion d'entrée (8) et une région comprenant le trou d'interconnexion de sortie (9). 基板（３）が金属板（１）の上に設けられている。基板（３）の開口部（２）において金属板（１）の上に半導体チップ（４）が設けられている。基板（３）の上に設けられた入力フィードスルー（８）及び出力フィードスルー（９）がそれぞれ半導体チップ（４）の入力パッド（５）及び出力パッド（６）にワイヤ接続されている。メタルシールリング（１２）が基板（３）の上に設けられ、スルーホール（１５）により金属板（１）に電気的に接続されている。導電性キャップ（１４）がメタルシールリング（１２）に接合され、半導体チップ（４）の上方を覆う。アイソレーション用金属ワイヤ（１３）の両端が金属板（１）に電気的に接続され、ループが導電性キャップ（１４）の下面に接触している。アイソレーション用金属ワイヤ（１３）は、内部空間を、入力フィードスルー（８）を含む領域