METHOD AND SYSTEM FOR PLASMA DIAGNOSTICS

The subject of the invention is a method of plasma diagnostics, in which an alternating voltage is applied to a reference electrode (6) with a measurable area AAP located in a plasma discharge chamber (1) and a first set of electric current and voltage waveforms is generated at the reference electro...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HUBIČKA, Zdeněk, HRABOVSKÝ, Miroslav, STRAŇÁK, Vítězslav, HRUBANTOVÁ, Aneta, DVOŘÁKOVÁ, Michaela, KŠÍROVÁ, Petra, SCHOVÁNEK, Petr, ČTVRTLÍK, Radim, OLEJNÍČEK, Jiří, ČADA, Martin
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:The subject of the invention is a method of plasma diagnostics, in which an alternating voltage is applied to a reference electrode (6) with a measurable area AAP located in a plasma discharge chamber (1) and a first set of electric current and voltage waveforms is generated at the reference electrode (6). After the completion of the measurement, the differential conductivity of the space charge sheath around the surface of the reference electrode (6) and its capacity are calculated from the measured dependences. Subsequently, an alternating voltage of the same frequency is applied to the main electrode located in the plasma and covered with a thick dielectric, and a second set of electric current and voltage waveforms is generated on the main electrode (7). From the measured values, the complex impedance of the main electrode (7) is determined and then the area of the main electrode is calculated, from which it is possible to determine other parameters such as electron temperature, voltage of the wall sheath, ion concentration and ion flux and more. La présente invention a pour objet un procédé de diagnostic par plasma, dans lequel une tension alternative est appliquée à une électrode de référence (6) ayant une surface mesurable AAP située dans une chambre de décharge de plasma (1) et un premier ensemble de formes d'onde de courant et de tension électriques est généré au niveau de l'électrode de référence (6). Après la fin de la mesure, la conductivité différentielle de la gaine de charge spatiale autour de la surface de l'électrode de référence (6) et sa capacité sont calculées à partir des dépendances mesurées. Ensuite, une tension alternative de la même fréquence est appliquée à l'électrode principale située dans le plasma et recouverte d'un diélectrique épais, et un second ensemble de formes d'onde de courant et de tension électriques est généré au niveau de l'électrode principale (7). À partir des valeurs mesurées, l'impédance complexe de l'électrode principale (7) est déterminée, puis la surface de l'électrode principale est calculée, à partir de laquelle il est possible de déterminer d'autres paramètres tels que la température des électrons, la tension de la gaine de paroi, la concentration et le flux d'ions, etc.