BOTTOM AIR SPACER BY OXIDATION

VFET devices having a porous bottom air spacer formed by oxidation are provided. In one aspect, a VFET device includes: at least one fin present on a substrate, wherein the at least one fin serves as a vertical fin channel of the VFET device; a bottom source/drain region at a base of the at least one fin; a bottom air-containing spacer disposed on the bottom source/drain region; a gate stack alongside the at least one fin; a top spacer above the gate stack at a top of the at least one fin; and a top source/drain region at a top of the at least one fin. A method of forming a VFET device is also provided. L'invention concerne des dispositifs VFET comportant un espaceur à air inférieur poreux formé par oxydation. Selon un aspect, un dispositif VFET comprend : au moins une ailette présente sur un substrat, ladite ou lesdites ailettes servant de canal d'ailette vertical du dispositif VFET ; une région de source/drain inférieure au niveau d'une base de ladite ou desdites ailettes ; un espaceur contenant de l'air inférieur disposé sur la région de source/drain inférieure ; un empilement de grille le long de ladite ou desdites ailettes ; un espaceur supérieur au-dessus de l'empilement de grille au niveau d'une partie supérieure de ladite ou desdites ailettes ; et une région de source/drain supérieure au niveau d'une partie supérieure de ladite ou desdites ailettes. L'invention concerne également un procédé de formation d'un dispositif VFET.