ETALON THERMOMETRY FOR PLASMA ENVIRONMENTS

A method and apparatus for determining the temperature of a substrate within a processing chamber are described herein. The methods and apparatus described herein utilize an etalon assembly and a heterodyning effect to determine a first temperature of a substrate. The first temperature of the substrate is determined without physically contacting the substrate. A separate temperature sensor also measures a second temperature of the substrate and/or the substrate support at a similar location. The first temperature and the second temperature are utilized to calibrate one of the temperature sensors disposed within the substrate support, a model of the processes performed within the processing chamber, or to adjust a process parameter of the process performed within the processing chamber. L'invention concerne un procédé et un appareil servant à déterminer la température d'un substrat à l'intérieur d'une chambre de traitement. Les procédés et appareil selon l'invention utilisent un ensemble étalon et un effet d'hétérodynage pour déterminer une première température d'un substrat. La première température du substrat est déterminée sans contact physique avec le substrat. Un capteur de température distinct mesure également une deuxième température du substrat et/ou du support de substrat à un emplacement similaire. La première et la deuxième température sont utilisées pour étalonner un des capteurs de température disposés à l'intérieur du support de substrat, un modèle des processus effectués à l'intérieur de la chambre de traitement, ou pour ajuster un paramètre de traitement du processus effectué à l'intérieur de la chambre de traitement.