SILICA-BASED SLURRY COMPOSITIONS CONTAINING HIGH MOLECULAR WEIGHT POLYMERS FOR USE IN CMP OF DIELECTRICS

The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising: (a) about 3.0 wt.% to about 10 wt.% silica abrasive; (b) an anionic polymer having a weight average molecular weight of about 400 kDa to about 7000 kDa; and (c) water, wherein the polishing composition has a viscosity of at least about 1 cPs, a ratio of viscosity (cPs) to wt.% of silica abrasive of about 0.2 cPs/wt.% to about 1.5 cPs/wt.%, and a pH of about 9 to about 12. The invention additional provides a chemical-mechanical polishing composition comprising: (a) about 3.0 wt.% to about 10 vrt.% silica abrasive; (b) a nonionicpolymer having a weight average molecular weight of about 300 kDa to about 7000 kDa; and (c) water, wherein the polishing composition has a viscosity of at least about 2 cPs, and a pH of about 9 to about 12. The invention also provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate, especially a substrate comprising silicon oxide, silicon nitride, polysilicon, or combinations thereof, using said compositions. La présente invention concerne une composition de polissage mécano-chimique comprenant : (a) environ 3,0 % en poids à environ 10 % en poids d'abrasif à la silice ; (b) un polymère anionique présentant un poids moléculaire moyen en poids d'environ 400 kDa à environ 7000 kDa ; et (c) de l'eau, la composition de polissage présentant une viscosité d'au moins environ 1 cPs, un rapport de viscosité (cPs) en poids d'abrasif de silice d'environ 0,2 cPs/% en poids à environ 1,5 cPs/% en poids et un pH d'environ 9 à environ 12. L'invention concerne en outre une composition de polissage mécano-chimique comprenant : (a) environ 3,0 % en poids à environ 10 % en poids d'abrasif à la silice ; (b) un polymère non ionique présentant un poids moléculaire moyen en poids d'environ 300 kDa à environ 7000 kDa ; et (c) de l'eau, la composition de polissage présentant une viscosité d'au moins environ 2 cPs et un pH d'environ 9 à environ 12. L'invention concerne également un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat, en particulier d'un substrat comprenant de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, du polysilicium ou des combinaisons associées, à l'aide desdites compositions.