METHOD OF DETERMINING DEFECTIVE DIE CONTAINING NON-VOLATILE MEMORY CELLS

A method of testing non-volatile memory cells formed on a die includes erasing the memory cells and performing a first read operation to determine a lowest read current RC1 for the memory cells and a first number N1 of the memory cells having the lowest read current RC1. A second read operation is performed to determine a second number N2 of the memory cells having a read current not exceeding a target read current RC2. The target read current RC2 is equal to the lowest read current RC1 plus a predetermined current value. The die is determined to be acceptable if the second number N2 is determined to exceed the first number N1 plus a predetermined number. The die is determined to be defective if the second number N2 is determined not to exceed the first number N1 plus the predetermined number. L'invention concerne un procédé de test de cellules de mémoire non volatile formées sur une puce qui consiste à : effacer les cellules de mémoire et réaliser une première opération de lecture afin de déterminer un courant de lecture le plus bas RC1 pour les cellules de mémoire et un premier nombre N1 des cellules de mémoire présentant le courant de lecture le plus bas RC1. Une seconde opération de lecture est réalisée afin de déterminer un second nombre N2 des cellules de mémoire présentant un courant de lecture ne dépassant pas un courant de lecture cible RC2. Le courant de lecture cible RC2 est égal au courant de lecture le plus bas RC1 plus une valeur de courant prédéterminée. La puce est déterminée comme étant acceptable si le second nombre N2 est déterminé pour dépasser le premier nombre N1 plus un nombre prédéterminé. La puce est déterminée comme étant défectueuse si le second nombre N2 est déterminé pour ne pas dépasser le premier nombre N1 plus le nombre prédéterminé.