DIRECTIONAL SELECTIVE DEPOSITION

Exemplary processing methods may include forming a plasma of a. silicon- containing precursor. The methods may include depositing a flowable film on a semiconductor substrate with plasma, effluents of the silicon-containing precursor. The processing region may be at least partially defined between a. faceplate and a substrate support on which the semiconductor substrate is seated. A bias power may be applied to the substrate support from a bias power source. The methods may include forming a plasma of a hydrogen-containing precursor within the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include etching the flowable film from a sidewall of the feature within the semiconductor substrate with plasma effluents of the hydrogen -containing precursor. Tire methods may include densifying remaining flowable film within the feature defined within the semiconductor substrate with plasma, effluents of the hydrogen -containing precursor. Les procédés de traitement donnés à titre d'exemple peuvent comprendre la formation d'un plasma d'un précurseur contenant du silicium. Les procédés peuvent consister à déposer un film fluide sur un substrat semi-conducteur avec des effluents de plasma du précurseur contenant du silicium. La région de traitement peut être au moins partiellement définie entre une plaque avant et un support de substrat sur lequel le substrat semi-conducteur est logé. Une puissance de polarisation peut être appliquée au support de substrat à partir d'une source d'énergie de polarisation. Les procédés peuvent en outre consister à former un plasma d'un précurseur contenant de l'hydrogène dans la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteurs. Les procédés peuvent consister à graver le film fluide à partir d'une paroi latérale de la caractéristique dans le substrat semi-conducteur avec des effluents de plasma du précurseur contenant de l'hydrogène. Les procédés peuvent consister à densifier le film fluide restant dans la caractéristique définie dans le substrat semi-conducteur avec des effluents de plasma du précurseur contenant de l'hydrogène.