SUPER TILT SWITCHING ELEMENT AND INVERTER ELEMENT USING SAME

A super tilt switching element and an inverter element using same are disclosed. A super tilt switching element comprises: a semiconductor channel arranged on a substrate, and made of a semiconductor material having impact ionization characteristics; a source electrode and a drain electrode, which are in contact with the semiconductor channel and are arranged to be spaced from each other on the substrate; and a gate electrode overlapping on only a portion on the semiconductor channel, wherein the upper surface of the semiconductor channel includes a first area with which the gate electrode overlaps, and a second area exposed by the gate electrode, and the first area and the second area can have a length ratio of 1 : 0.1-0.4. L'invention concerne un élément de commutation à super-inclinaison et un élément inverseur l'utilisant. Un élément de commutation à super-inclinaison comprend : un canal semi-conducteur disposé sur un substrat, et constitué d'un matériau semi-conducteur ayant des caractéristiques d'ionisation par impact; une électrode de source et une électrode de drain, qui sont en contact avec le canal semi-conducteur et sont agencées pour être espacées l'une de l'autre sur le substrat; et une électrode de grille chevauchant uniquement une partie sur le canal semi-conducteur, la surface supérieure du canal semi-conducteur comprenant une première zone avec laquelle l'électrode de grille se chevauche, et une seconde zone exposée par l'électrode de grille, et la première zone et la seconde zone peuvent avoir un rapport de longueur de 1 : 0,1 à 0,4. 초경사 스위칭 소자 및 이를 이용한 인버터 소자가 개시된다. 초경사 스위칭 소자는 기판 상에 배치되고, 충격 이온화 특성을 갖는 반도체 재료로 형성된 반도체 채널, 상기 반도체 채널과 접촉하고, 상기 기판 상에서 서로 이격되게 배치된 소스 전극과 드레인 전극, 및 상기 반도체 채널 상의 일부에만 중첩된 게이트 전극을 포함하고, 상기 반도체 채널의 상부 표면은, 상기 게이트 전극이 중첩된 제1 영역, 및 상기 게이트 전극에 의해 노출된 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역 및 제2 영역은 1 : 0.1 내지 0.4 의 길이 비율을 가질 수 있다.