SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

The present invention relates to a substrate processing apparatus comprising: a chamber; a substrate support part which supports at least one substrate in the chamber; a lower plate which is disposed above the substrate support part; and an upper plate which is disposed above the lower plate, wherein: the upper plate includes a first spray hole which provides a first gas and a second spray hole which provides a second gas; and the lower plate includes a first opening which is disposed under the first spray hole so as to allow the first gas provided from the first spray hole to pass therethrough and a second opening which is disposed under the second spray hole so as to allow the second gas provided from the second spray hole to pass therethrough. La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat comprenant : une chambre ; une partie de support de substrat qui supporte au moins un substrat dans la chambre ; une plaque inférieure qui est disposée au-dessus de la partie de support de substrat ; et une plaque supérieure qui est disposée au-dessus de la plaque inférieure, la plaque supérieure comprenant un premier trou de pulvérisation qui fournit un premier gaz et un second trou de pulvérisation qui fournit un second gaz ; et la plaque inférieure comprenant une première ouverture qui est disposée sous le premier trou de pulvérisation de façon à permettre au premier gaz fourni par le premier trou de pulvérisation de passer à travers celle-ci et une seconde ouverture qui est disposée sous le second trou de pulvérisation de façon à permettre au second gaz fourni par le second trou de pulvérisation de passer à travers celle-ci. 본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부에서 적어도 하나의 기판을 지지하는 기판지지부; 상기 기판지지부의 상측에 배치된 하부플레이트; 및 상기 하부플레이트의 상측에 배치된 상부플레이트를 포함하고, 상기 상부플레이트는 제1가스를 제공하는 제1분사홀, 및 제2가스를 제공하는 제2분사홀을 포함하며, 상기 하부플레이트는 상기 제1분사홀로부터 제공된 제1가스를 통과시키도록 상기 제1분사홀의 하측에 배치된 제1개구, 및 상기 제2분사홀로부터 제공된 제2가스를 통과시키도록 상기 제2분사홀의 하측에 배치된 제2개구를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.