NANOWIRES AND METHOD FOR PRODUCING SAME

According to the present invention, after having fine metal particles, which are configured from Ga, penetrate through a silicon oxide layer (102) by means of heating and bringing the fine metal particles into contact with the surface of an Si substrate (101), an In source is supplied thereto so as to form fine alloy particles (104), which are formed of an alloy of Ga and In, and the In source and a P source are subsequently supplied thereto so as to form nanowires (105), which contain In, Ga and P as constituent elements, by means of crystal growth (VLS growth) of a compound semiconductor, while using the fine alloy particles (104) as a catalyst. Selon la présente invention, après avoir fait pénétrer de fines particules métalliques, qui sont constituées de Ga, dans une couche d'oxyde de silicium (102) par chauffage et avoir mis les fines particules métalliques en contact avec la surface d'un substrat de Si (101), une source de In est fournie de manière à former de fines particules d'alliage (104), qui sont constituées d'un alliage de Ga et d'In, et la source d'In et une source de P sont ensuite fournies de manière à former des nanofils (105), qui contiennent In, Ga et P en tant qu'éléments constitutifs, par croissance cristalline (croissance VLS) d'un semi-conducteur composé, tout en utilisant les fines particules d'alliage (104) en tant que catalyseur. Ｇａから構成された金属微粒子を、加熱により酸化シリコン層（１０２）を貫通させてＳｉ基板（１０１）の表面に接触させたあと、Ｉｎの原料を供給してＧａとＩｎの合金からなる合金微粒子（１０４）とし、Ｉｎの原料およびＰの原料を供給して、合金微粒子（１０４）を触媒とした化合物半導体の結晶成長（ＶＬＳ成長）により、Ｉｎ、Ｇａ、Ｐを構成元素とするナノワイヤ（１０５）を形成する。