LIGHT EMITTING DIODE DEVICES WITH BONDING AND/OR OHMIC CONTACT-REFLECTIVE MATERIAL

A metal stack of layers contacting an N-type layer of a light emitting diode (LED) device comprises: an ohmic contact layer electrically contacting the N-type layer and having a work function value that is less than or equal to a work function value of the N-type layer; a reflective layer electrically contacting the ohmic contact layer; a first material barrier layer electrically contacting the reflective layer; a current carrying layer electrically contacting the first material barrier layer; and a second material barrier layer electrically contacting the current carrying layer. LED devices incorporate the metal stack of layer as a bonding material and/or as an ohmic contact-reflective material. Methods of making and using the metal stacks and LED devices are also provided. L'invention concerne un empilement métallique de couches en contact avec une couche de type N d'une diode électroluminescente (LED) comprenant : une couche de contact ohmique en contact électrique avec la couche de type N et ayant une valeur de fonction de travail qui est inférieure ou égale à une valeur de fonction de travail de la couche de type N ; une couche réfléchissante en contact électrique avec la couche de contact ohmique ; une première couche de barrière de matériau en contact électrique avec la couche réfléchissante ; une couche de transport de courant en contact électrique avec la première couche de barrière de matériau ; et une seconde couche de barrière de matériau en contact électrique avec la couche de transport de courant. Des dispositifs à DEL incorporent l'empilement métallique de couche en tant que matériau de liaison et/ou en tant que matériau de contact ohmique-réfléchissant. L'invention concerne également des procédés de fabrication et d'utilisation des empilements métalliques et des dispositifs à DEL.