SELF-ALIGNED C-SHAPED VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

A self-aligned C-shaped vertical field effect transistor includes a semiconductor substrate (120) having an uppermost surface and a fin structure (1010) on the uppermost surface of the semiconductor substrate (120). The fin structure (1010) has two adjacent vertical segments with rounded ends that e...

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Hauptverfasser: XIE, Ruilong, STRANE, Jay William, ROBISON, Robert, JAGANNATHAN, Hemanth
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A self-aligned C-shaped vertical field effect transistor includes a semiconductor substrate (120) having an uppermost surface and a fin structure (1010) on the uppermost surface of the semiconductor substrate (120). The fin structure (1010) has two adjacent vertical segments with rounded ends that extend perpendicularly from the uppermost surface of the semiconductor substrate (120) and a horizontal segment that extends between and connects the two adjacent vertical segments. An opening is located between the two adjacent vertical segments on a side of the fin structure (1010) opposite to the horizontal segment. La présente divulgation concerne un transistor à effet de champ vertical auto-aligné en forme de C qui comprend un substrat semi-conducteur (120) ayant une surface supérieure et une structure d'ailette (1010) sur la surface supérieure du substrat semi-conducteur (120). La structure d'ailette (1010) comporte deux segments verticaux adjacents ayant des extrémités arrondies qui s'étendent perpendiculairement à partir de la surface supérieure du substrat semi-conducteur (120) et un segment horizontal qui s'étend entre les deux segments verticaux adjacents et relie les deux segments verticaux adjacents. Une ouverture est située entre les deux segments verticaux adjacents sur un côté de la structure d'ailette (1010) opposé au segment horizontal.