TREATMENTS FOR CONTROLLING DEPOSITION DEFECTS

Exemplary methods of semiconductor processing may include forming a plasma of a carbon-containing precursor in a processing region of a semiconductor processing chamber. The methods may include depositing a carbon-containing material on a substrate housed in the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include halting a flow of the carbon-containing precursor into the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include contacting the carbon-containing material with plasma effluents of an oxidizing material. The methods may include forming volatile materials from a surface of the carbon-containing material. Des procédés donnés à titre d'exemple de traitement de semi-conducteur peuvent comprendre la formation d'un plasma d'un précurseur contenant du carbone dans une région de traitement d'une chambre de traitement de semi-conducteur. Les procédés peuvent comprendre le dépôt d'un matériau contenant du carbone sur un substrat disposé dans la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteur. Les procédés peuvent comprendre l'arrêt d'un écoulement du précurseur contenant du carbone dans la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteur. Les procédés peuvent comprendre la mise en contact du matériau contenant du carbone avec des effluents de plasma d'un matériau oxydant. Les procédés peuvent comprendre la formation de matières volatiles à partir d'une surface du matériau contenant du carbone.