BIAS TEMPERATURE INSTABILITY CORRECTION IN MEMORY ARRAYS

A method of correcting bias temperature instability in memory arrays may include applying a first bias to a memory cell, where the memory cell may include a memory element and a select element, and the first bias may causes a value to be stored in the memory element. The first bias causes a bias temperature instability (BTI) associated with the memory cell to increase. The method may also include applying a second bias to the memory cell, where the second bias may have a polarity that is opposite of the first bias, and the value stored in the memory element remains in the memory element after the second bias is applied. The second bias may also cause the BTI associated with the memory cell to decrease while maintaining any value stored in the memory cell. L'invention concerne un procédé de correction d'instabilité de température de polarisation dans des réseaux de mémoire pouvant comprendre l'application d'une première polarisation à une cellule de mémoire, la cellule de mémoire pouvant comprendre un élément de mémoire et un élément de sélection, et la première polarisation pouvant provoquer le stockage d'une valeur dans l'élément de mémoire. La première polarisation provoque l'augmentation d'une instabilité de température de polarisation (BTI) associée à la cellule de mémoire. Le procédé peut également comprendre l'application d'une seconde polarisation à la cellule de mémoire, la seconde polarisation pouvant présenter une polarité qui est opposée à la première polarisation, et la valeur stockée dans l'élément de mémoire restant dans l'élément de mémoire après l'application de la seconde polarisation. La seconde polarisation peut également provoquer la diminution de la BTI associée à la cellule de mémoire tout en maintenant une quelconque valeur stockée dans la cellule de mémoire.