COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND POLISHING METHOD

Provided is a composition for chemical mechanical polishing, with which chemical mechanical polishing can be carried out while suppressing corrosion of ruthenium and maintaining a stable polishing speed for a semiconductor substrate containing ruthenium. This composition for chemical mechanical polishing contains: (A) abrasive grains; (B) an acid containing at least one type of anion selected from the group consisting of a periodate ion (IO4 -), a hypochlorite ion (ClO-), a chlorite ion (ClO2 -) and a hypobromite ion (BrO-), or a salt thereof; and (D) a compound having at least one type of functional group selected from the group consisting of an amino group and salts thereof and at least one type of functional group selected from the group consisting of a carboxyl group and salts thereof. The value of MB/MD is 0.25-4, where MB (mass%) denotes the content of the acid or salt thereof (B) and MB (mass%) denotes the content of the compound (D). L'invention fournit une composition pour polissage chimico-mécanique qui tout en inhibant la corrosion d'un ruthénium, permet de soumettre un substrat semi-conducteur contenant un ruthénium à un polissage chimico-mécanique tout en maintenant une vitesse de polissage stable. La composition pour polissage chimico-mécanique de l'invention comprend : des grains abrasifs (A) ; un acide ou un sel de celui-ci (B), lequel acide contient au moins une sorte d'anion choisie dans un groupe constitué d'ions d'acide périodique （ＩＯ４ －）, d'ions d'acide hypochloreux （ＣｌＯ－）, d'ions d'acide chloreux （ＣｌＯ２ －） et d'ions d'acide hypobromeux （ＢｒＯ－） ; et un composé (D) qui possède au moins une sorte de groupe fonctionnel choisie parmi un groupe amino et un sel de celui-ci, et au moins une sorte de groupe fonctionnel choisie parmi un groupe carboxy et un sel de celui-ci. Lorsque la teneur en acide ou en sel de celui-ci (B) est représentée par ＭＢ（en ％ en masse） et que la teneur en composé (D) est représentée par ＭＤ（en ％ en masse）, alors ＭＢ／ＭＤ vaut ０,２５ à ４. ルテニウムの腐食を抑制しつつ、ルテニウムを含む半導体基板を安定した研磨速度を維持しながら化学機械研磨を行うことができる化学機械研磨用組成物を提供する。 本発明に係る化学機械研磨用組成物は、砥粒（Ａ）と、過ヨウ素酸イオン（ＩＯ４ －）、次亜塩素酸イオン（ＣｌＯ－）、亜塩素酸イオン（ＣｌＯ２ －）および次亜臭素酸イオン（ＢｒＯ－）からなる群より選択される少なくとも１種のアニオンを含む酸またはその塩（Ｂ）と、アミノ基およびその塩からなる群より選択される少なくとも１種の官能基と、カルボキシ基およびその塩からなる群より選択される少なくとも１種の官能基とを有する化合物（Ｄ）と、を含有し、前記酸またはその塩（Ｂ）の含有量をＭＢ（質量％）、前記化合物（Ｄ）の含有量をＭＤ（質量％）とした場合、ＭＢ／ＭＤ＝０．２５～４である。