POWER SEMICONDUCTOR UNIT, AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR UNIT

Provided is a power semiconductor unit including a cooler, capable of achieving, simultaneously, both cooling efficiency and mounting flexibility of a power semiconductor module installed therein. The power semiconductor unit comprises a power semiconductor element, a first insulating substrate bond...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: TANIMURA Toshiki, KUSHIMA Takayuki, YASUI Kan
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is a power semiconductor unit including a cooler, capable of achieving, simultaneously, both cooling efficiency and mounting flexibility of a power semiconductor module installed therein. The power semiconductor unit comprises a power semiconductor element, a first insulating substrate bonded to one surface of the power semiconductor element, a wiring metal component bonded to another surface of the power semiconductor element, a second insulating substrate bonded to a surface of the wiring metal component on the opposite side to the surface to which the power semiconductor element is bonded, and a heat sink for cooling heat from the power semiconductor element, characterized in that sintered metal bonding is employed for the bonding between the power semiconductor element and the first insulating substrate, the bonding between the power semiconductor element and the wiring metal component, and the bonding between the wiring metal component and the second insulating substrate. L'invention concerne une unité semi-conductrice de puissance comprenant un refroidisseur, apte à réaliser, simultanément, à la fois l'efficacité de refroidissement et la flexibilité de montage d'un module semi-conducteur de puissance installé à l'intérieur de celui-ci. L'unité semi-conductrice de puissance comprend un élément semi-conducteur de puissance, un premier substrat isolant lié à une surface de l'élément semi-conducteur de puissance, un composant métallique de câblage lié à une autre surface de l'élément semi-conducteur de puissance, un deuxième substrat isolant lié à une surface du composant métallique de câblage sur le côté opposé à la surface à laquelle l'élément semi-conducteur de puissance est lié, et un dissipateur thermique pour refroidir la chaleur provenant de l'élément semi-conducteur de puissance, caractérisé en ce qu'une liaison métallique frittée est utilisée pour la liaison entre l'élément semi-conducteur de puissance et le premier substrat isolant, la liaison entre l'élément semi-conducteur de puissance et le composant métallique de câblage, et la liaison entre le composant métallique de câblage et le deuxième substrat isolant. 冷却器を備えたパワー半導体ユニットにおいて、搭載されるパワー半導体モジュールの冷却効率と実装自由度の両立が可能なパワー半導体ユニットを提供する。パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子の一方の面に接合される第1の絶縁基板と、前記パワー半導体素子の他方の面に接合される配線金属部品と、前記配線金属部品の前記パワー半導体素子が接合される面の反対側の面に接合される第2の絶縁基板と、前記パワー半導体素子からの熱を冷却するヒートシンクと、を備え、前記パワー半導体素子と前記第1の絶縁基板との接合、前記パワー半導体素子と前記配線金属部品との接合、前記配線金属部品と前記第2の絶縁基板との接合は、焼結金属接合であることを特徴とする。