ON-CHIP EMF ISOLATION OF AN INTEGRATED CIRCUIT COUPLED WITH PHOTOCONDUCTIVE SEMICONDUCTOR SWITCH UNDER AN ON-CHIP FARADAY CAGE

An integrated circuit structure (10) including a substrate (16) having an upper surface (18); a gallium nitride layer (20) disposed on the upper surface of the substrate; and a photoconductive semiconductor switch (14) laterally disposed alongside a transistor (12) on the gallium nitride layer (20) integrated into the integrated circuit structure; an EMF shield (40) enclosing the substrate, the gallium nitride layer and the photoconductive semiconductor switch laterally disposed alongside the transistor on the gallium nitride layer integrated into the integrated circuit structure; and a signal line (56) electronically coupled with the photoconductive semiconductor switch, the signal line (56) penetrating the EMF shield (40). L'invention concerne une structure de circuit intégré (10) comprenant un substrat (16) ayant une surface supérieure (18) ; une couche de nitrure de gallium (20) disposée sur la surface supérieure du substrat ; et un commutateur à semi-conducteurs photoconducteur (14) disposé latéralement le long d'un transistor (12) sur la couche de nitrure de gallium (20) intégrée dans la structure de circuit intégré ; un blindage EMF (40) entourant le substrat, la couche de nitrure de gallium et le commutateur semi-conducteurs photoconducteur disposés latéralement le long du transistor sur la couche de nitrure de gallium intégrée dans la structure de circuit intégré ; et une ligne de signal (56) couplée électroniquement au commutateur à semi-conducteurs photoconducteur, la ligne de signal (56) pénétrant dans le blindage EMF (40).