POWER MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE

Provided is a technique for enabling reduction of thermal stress due to bonding of a heat-dissipating member and an insulating substrate, and suppression of warping of the heat-dissipating member caused by the thermal stress. A power module (202) comprises: a heat-dissipating member (14) including a peripheral wall portion (15) and a recess portion (19) formed on the inner peripheral side of the peripheral wall portion (15) and recessed downward; at least one ceramic substrate (10) bonded inside the recess portion (19); a plurality of semiconductor elements mounted on the at least one ceramic substrate (10); a case (5) fixed along the upper end of the peripheral wall portion (15) and internally filled with a sealing resin (7); and a circuit forming member including electrode plates (63, 64, 65) respectively connecting between the plurality of semiconductor elements and between the semiconductor elements and the at least one ceramic substrate (10). The thickness of the peripheral wall portion (15) of the heat-dissipating member (14) in the vertical direction (Z-axis direction) is greater than the thickness of a bottom wall portion (16), forming a bottom surface of the recess portion (19), in the vertical direction (Z-axis direction). L'invention concerne une technique permettant de réduire la contrainte thermique due à la liaison d'un élément de dissipation de chaleur et d'un substrat isolant, et de supprimer le gauchissement de l'élément de dissipation de chaleur provoqué par la contrainte thermique. Un module de puissance (202) comprend : un élément de dissipation de chaleur (14) comprenant une partie de paroi périphérique (15) et une partie évidée (19) formée sur le côté périphérique interne de la partie de paroi périphérique (15) et en retrait vers le bas ; au moins un substrat céramique (10) lié à l'intérieur de la partie évidée (19) ; une pluralité d'éléments semi-conducteurs montés sur l'au moins un substrat en céramique (10) ; un boîtier (5) fixé le long de l'extrémité supérieure de la partie de paroi périphérique (15) et rempli intérieurement d'une résine d'étanchéité (7) ; et un élément de formation de circuit comprenant des plaques d'électrode (63, 64, 65) connectant respectivement entre la pluralité d'éléments semi-conducteurs et entre les éléments semi-conducteurs et l'au moins un substrat en céramique (10). L'épaisseur de la partie de paroi périphérique (15) de l'élément de dissipation de chaleur (14) dans la direction verticale (direction de