METHOD AND DEVICE FOR DETECTING A SHORT CIRCUIT OF A SEMICONDUCTOR SWITCH ELEMENT IN AN INVERTER FOR ENERGIZING AN ELECTRIC DRIVE IN AN ELECTRIC VEHICLE OR HYBRID VEHICLE; INVERTER COMPRISING SUCH A DEVICE
Verfahren zur Detektion eines Kurzschlusses eines Halbleiterschaltelementes in einem Inverter, der zum Betreiben eines elektrischen Antriebs in einem Elektrofahrzeug oder einem Hybridfahrzeug ausgebildet ist und mehrere Halbleiterschaltelemente umfasst, wobei die Halbleiterschaltelemente eine Highsi...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
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Zusammenfassung: | Verfahren zur Detektion eines Kurzschlusses eines Halbleiterschaltelementes in einem Inverter, der zum Betreiben eines elektrischen Antriebs in einem Elektrofahrzeug oder einem Hybridfahrzeug ausgebildet ist und mehrere Halbleiterschaltelemente umfasst, wobei die Halbleiterschaltelemente eine Highside und eine Lowside bilden, wobei die Highside und die Lowside jeweils ein oder mehrere parallel verschaltete Halbleiterschaltelemente umfassen, wobei die Highside und die Lowside zu einem Zwischenkreiskondensator des Inverters parallel verschaltet sind, wobei das Verfahren folgende Schritte (101 -106) umfasst: Messen einer am Zwischenkreiskondensator anfallenden Zwischenkreisspannung; Bestimmen einer Zwischenkreiskapazität des Zwischenkreiskondensators; Bestimmen eines Kurzschlusswiderstandes des Inverters; Festlegen einer Zeitkonstante aus der Zwischenkreiskapazität und dem Kurzschlusswiderstand, vorzugsweise durch Multiplizieren der Zwischenkreiskapazität mit dem Kurzschlusswiderstand; Ermitteln einer Änderung der gemessenen Zwischenkreisspannung innerhalb der festgelegten Zeitkonstante, um eine Änderungsgeschwindigkeit zu berechnen; Vergleichen der Änderungsgeschwindigkeit mit einem ersten Schwellenwert.
The invention relates to a method for detecting a short circuit of a semiconductor switch element in an inverter which is designed to operate an electric drive in an electric vehicle or a hybrid vehicle and which comprises a plurality of semiconductor switch elements. The semiconductor switch elements form a high side and a low side, wherein the high side and the low side comprise one or more respective semiconductor switch elements connected in parallel, and the high side and the low side are connected in parallel in order to form an intermediate circuit capacitor of the inverter. The method has the following steps (101 - 106): measuring an intermediate circuit voltage being applied to the intermediate circuit capacitor; determining an intermediate circuit capacitance of the intermediate circuit capacitor; determining a short circuit resistance of the inverter; ascertaining a time constant from the intermediate circuit capacitance and the short circuit resistance, preferably by multiplying the intermediate circuit capacitance by the short circuit resistance; ascertaining a change in the measured intermediate circuit voltage within the ascertained time constant in order to calculate a change rate; and comparing the change rate with a first threshold.
L'inven |
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