POLISHING LIQUID FOR CMP, POLISHING LIQUID SET FOR CMP, AND POLISHING METHOD

POLISHING LIQUID FOR CMP, POLISHING LIQUID SET FOR CMP, AND POLISHING METHOD

This polishing liquid for CMP contains abrasive grains, an additive, and water, wherein: the abrasive grains include cerium-based particles; and the additive contains (A) a 4-pyrone-based compound represented by general formula (1), and (B1) a compound of which a 1 mM aqueous solution has a pH of at...

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Hauptverfasser: KOBAYASHI Shingo, KANNO Masahiro, ICHIGE Yasuhiro, KURATA Yasushi, MINAMI Hisataka, OTSUKA Yuya, IWANO Tomohiro, OUCHI Mayumi, WU Jenna
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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KANNO Masahiro
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description This polishing liquid for CMP contains abrasive grains, an additive, and water, wherein: the abrasive grains include cerium-based particles; and the additive contains (A) a 4-pyrone-based compound represented by general formula (1), and (B1) a compound of which a 1 mM aqueous solution has a pH of at least 3.7 or (B2) a cyclic compound having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxy group, a carboxylate group, an amino group, and a hydroxy group. This polishing liquid for CMP contains abrasive grains, an additive, and water, wherein the abrasive grains include cerium-based particles, and the additive contains a compound having at least two nitrogen atoms to which a hydroxyalkyl group is bonded. [In the formula, X11, X12, and X13 are each independently a hydrogen atom or a monovalent substituent.] L'invention concerne un liquide de polissage pour CMP contenant des grains abrasifs, un additif et de l'eau, les grains abrasifs comprenant des particules à base de cérium ; et l'additif contenant (A) un composé à base de 4-pyrone représenté par la formule générale (1), et (B1) un composé dont une solution aqueuse à 1 mM a un pH d'au moins 3,7 ou (B2) un composé cyclique ayant au moins un groupe fonctionnel choisi dans le groupe constitué par un groupe carboxy, un groupe carboxylate, un groupe amino et un groupe hydroxy. Ce liquide de polissage pour CMP contient des grains abrasifs, un additif et de l'eau, les grains abrasifs comprenant des particules à base de cérium, et l'additif contenant un composé ayant au moins deux atomes d'azote auxquels un groupe hydroxyalkyle est lié. [Dans la formule, X11, X12, et X13 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un substituant monovalent.] 砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、（Ａ）下記一般式（１）で表される４－ピロン系化合物と、（Ｂ１）１ｍＭの水溶液のｐＨが３．７以上の化合物、又は、（Ｂ２）カルボキシ基、カルボン酸塩基、アミノ基及びヒドロキシ基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有する環状化合物と、を含む、ＣＭＰ用研磨液。砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、ヒドロキシアルキル基が結合した２以上の窒素原子を有する化合物を含む、ＣＭＰ用研磨液。［式中、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基である。］
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This polishing liquid for CMP contains abrasive grains, an additive, and water, wherein the abrasive grains include cerium-based particles, and the additive contains a compound having at least two nitrogen atoms to which a hydroxyalkyl group is bonded. [In the formula, X11, X12, and X13 are each independently a hydrogen atom or a monovalent substituent.] L'invention concerne un liquide de polissage pour CMP contenant des grains abrasifs, un additif et de l'eau, les grains abrasifs comprenant des particules à base de cérium ; et l'additif contenant (A) un composé à base de 4-pyrone représenté par la formule générale (1), et (B1) un composé dont une solution aqueuse à 1 mM a un pH d'au moins 3,7 ou (B2) un composé cyclique ayant au moins un groupe fonctionnel choisi dans le groupe constitué par un groupe carboxy, un groupe carboxylate, un groupe amino et un groupe hydroxy. Ce liquide de polissage pour CMP contient des grains abrasifs, un additif et de l'eau, les grains abrasifs comprenant des particules à base de cérium, et l'additif contenant un composé ayant au moins deux atomes d'azote auxquels un groupe hydroxyalkyle est lié. [Dans la formule, X11, X12, et X13 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un substituant monovalent.] 砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、（Ａ）下記一般式（１）で表される４－ピロン系化合物と、（Ｂ１）１ｍＭの水溶液のｐＨが３．７以上の化合物、又は、（Ｂ２）カルボキシ基、カルボン酸塩基、アミノ基及びヒドロキシ基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有する環状化合物と、を含む、ＣＭＰ用研磨液。砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、ヒドロキシアルキル基が結合した２以上の窒素原子を有する化合物を含む、ＣＭＰ用研磨液。［式中、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基である。］</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20230209&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2023013692A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20230209&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2023013692A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KOBAYASHI Shingo</creatorcontrib><creatorcontrib>KANNO Masahiro</creatorcontrib><creatorcontrib>ICHIGE Yasuhiro</creatorcontrib><creatorcontrib>KURATA Yasushi</creatorcontrib><creatorcontrib>MINAMI Hisataka</creatorcontrib><creatorcontrib>OTSUKA Yuya</creatorcontrib><creatorcontrib>IWANO Tomohiro</creatorcontrib><creatorcontrib>OUCHI Mayumi</creatorcontrib><creatorcontrib>WU Jenna</creatorcontrib><title>POLISHING LIQUID FOR CMP, POLISHING LIQUID SET FOR CMP, AND POLISHING METHOD</title><description>This polishing liquid for CMP contains abrasive grains, an additive, and water, wherein: the abrasive grains include cerium-based particles; and the additive contains (A) a 4-pyrone-based compound represented by general formula (1), and (B1) a compound of which a 1 mM aqueous solution has a pH of at least 3.7 or (B2) a cyclic compound having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxy group, a carboxylate group, an amino group, and a hydroxy group. 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Ce liquide de polissage pour CMP contient des grains abrasifs, un additif et de l'eau, les grains abrasifs comprenant des particules à base de cérium, et l'additif contenant un composé ayant au moins deux atomes d'azote auxquels un groupe hydroxyalkyle est lié. [Dans la formule, X11, X12, et X13 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un substituant monovalent.] 砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、（Ａ）下記一般式（１）で表される４－ピロン系化合物と、（Ｂ１）１ｍＭの水溶液のｐＨが３．７以上の化合物、又は、（Ｂ２）カルボキシ基、カルボン酸塩基、アミノ基及びヒドロキシ基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有する環状化合物と、を含む、ＣＭＰ用研磨液。砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、ヒドロキシアルキル基が結合した２以上の窒素原子を有する化合物を含む、ＣＭＰ用研磨液。［式中、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基である。］</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPAJ8PfxDPbw9HNX8PEMDPV0UXDzD1Jw9g3QUcCQCXYNQcg6-rkgqfB1DfHwd-FhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGRsYGhsZmlkaOhsbEqQIARs0ueA</recordid><startdate>20230209</startdate><enddate>20230209</enddate><creator>KOBAYASHI Shingo</creator><creator>KANNO Masahiro</creator><creator>ICHIGE Yasuhiro</creator><creator>KURATA Yasushi</creator><creator>MINAMI Hisataka</creator><creator>OTSUKA Yuya</creator><creator>IWANO Tomohiro</creator><creator>OUCHI Mayumi</creator><creator>WU Jenna</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230209</creationdate><title>POLISHING LIQUID FOR CMP, POLISHING LIQUID SET FOR CMP, AND POLISHING METHOD</title><author>KOBAYASHI Shingo ; KANNO Masahiro ; ICHIGE Yasuhiro ; KURATA Yasushi ; MINAMI Hisataka ; OTSUKA Yuya ; IWANO Tomohiro ; OUCHI Mayumi ; WU Jenna</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2023013692A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KOBAYASHI Shingo</creatorcontrib><creatorcontrib>KANNO Masahiro</creatorcontrib><creatorcontrib>ICHIGE Yasuhiro</creatorcontrib><creatorcontrib>KURATA Yasushi</creatorcontrib><creatorcontrib>MINAMI Hisataka</creatorcontrib><creatorcontrib>OTSUKA Yuya</creatorcontrib><creatorcontrib>IWANO Tomohiro</creatorcontrib><creatorcontrib>OUCHI Mayumi</creatorcontrib><creatorcontrib>WU Jenna</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KOBAYASHI Shingo</au><au>KANNO Masahiro</au><au>ICHIGE Yasuhiro</au><au>KURATA Yasushi</au><au>MINAMI Hisataka</au><au>OTSUKA Yuya</au><au>IWANO Tomohiro</au><au>OUCHI Mayumi</au><au>WU Jenna</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>POLISHING LIQUID FOR CMP, POLISHING LIQUID SET FOR CMP, AND POLISHING METHOD</title><date>2023-02-09</date><risdate>2023</risdate><abstract>This polishing liquid for CMP contains abrasive grains, an additive, and water, wherein: the abrasive grains include cerium-based particles; and the additive contains (A) a 4-pyrone-based compound represented by general formula (1), and (B1) a compound of which a 1 mM aqueous solution has a pH of at least 3.7 or (B2) a cyclic compound having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxy group, a carboxylate group, an amino group, and a hydroxy group. 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Ce liquide de polissage pour CMP contient des grains abrasifs, un additif et de l'eau, les grains abrasifs comprenant des particules à base de cérium, et l'additif contenant un composé ayant au moins deux atomes d'azote auxquels un groupe hydroxyalkyle est lié. [Dans la formule, X11, X12, et X13 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un substituant monovalent.] 砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、（Ａ）下記一般式（１）で表される４－ピロン系化合物と、（Ｂ１）１ｍＭの水溶液のｐＨが３．７以上の化合物、又は、（Ｂ２）カルボキシ基、カルボン酸塩基、アミノ基及びヒドロキシ基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有する環状化合物と、を含む、ＣＭＰ用研磨液。砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、ヒドロキシアルキル基が結合した２以上の窒素原子を有する化合物を含む、ＣＭＰ用研磨液。［式中、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基である。］</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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