POLISHING LIQUID FOR CMP, POLISHING LIQUID SET FOR CMP, AND POLISHING METHOD

This polishing liquid for CMP contains abrasive grains, an additive, and water, wherein: the abrasive grains include cerium-based particles; and the additive contains (A) a 4-pyrone-based compound represented by general formula (1), and (B1) a compound of which a 1 mM aqueous solution has a pH of at...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KOBAYASHI Shingo, KANNO Masahiro, ICHIGE Yasuhiro, KURATA Yasushi, MINAMI Hisataka, OTSUKA Yuya, IWANO Tomohiro, OUCHI Mayumi, WU Jenna
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:This polishing liquid for CMP contains abrasive grains, an additive, and water, wherein: the abrasive grains include cerium-based particles; and the additive contains (A) a 4-pyrone-based compound represented by general formula (1), and (B1) a compound of which a 1 mM aqueous solution has a pH of at least 3.7 or (B2) a cyclic compound having at least one functional group selected from the group consisting of a carboxy group, a carboxylate group, an amino group, and a hydroxy group. This polishing liquid for CMP contains abrasive grains, an additive, and water, wherein the abrasive grains include cerium-based particles, and the additive contains a compound having at least two nitrogen atoms to which a hydroxyalkyl group is bonded. [In the formula, X11, X12, and X13 are each independently a hydrogen atom or a monovalent substituent.] L'invention concerne un liquide de polissage pour CMP contenant des grains abrasifs, un additif et de l'eau, les grains abrasifs comprenant des particules à base de cérium ; et l'additif contenant (A) un composé à base de 4-pyrone représenté par la formule générale (1), et (B1) un composé dont une solution aqueuse à 1 mM a un pH d'au moins 3,7 ou (B2) un composé cyclique ayant au moins un groupe fonctionnel choisi dans le groupe constitué par un groupe carboxy, un groupe carboxylate, un groupe amino et un groupe hydroxy. Ce liquide de polissage pour CMP contient des grains abrasifs, un additif et de l'eau, les grains abrasifs comprenant des particules à base de cérium, et l'additif contenant un composé ayant au moins deux atomes d'azote auxquels un groupe hydroxyalkyle est lié. [Dans la formule, X11, X12, et X13 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un substituant monovalent.] 砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、(A)下記一般式(1)で表される4-ピロン系化合物と、(B1)1mMの水溶液のpHが3.7以上の化合物、又は、(B2)カルボキシ基、カルボン酸塩基、アミノ基及びヒドロキシ基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有する環状化合物と、を含む、CMP用研磨液。砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、砥粒がセリウム系粒子を含み、添加剤が、ヒドロキシアルキル基が結合した2以上の窒素原子を有する化合物を含む、CMP用研磨液。[式中、X11、X12及びX13は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基である。]