INSPECTION DEVICE AND INSPECTION METHOD

The purpose of the present disclosure is to provide a technology which enables, in a step for analyzing a defect of an element, identification of the position of the defect even in a case where the defect is thin or there is an influence of contamination. An inspection device according to the present disclosure irradiates a first region including a defect of a sample with a low-energy first electron beam and then generates a second electron beam image obtained by irradiating a second region including the first region with a high-energy second electron beam, and identifies the position of the first region in the second electron beam image, thereby identifying the position of the defect. Le but de la présente invention est de fournir une technologie qui permet, dans une étape d'analyse d'un défaut d'un élément, l'identification de la position du défaut même dans un cas où le défaut est mince ou il y a une influence de la contamination. Un dispositif d'inspection selon la présente divulgation irradie une première région comprenant un défaut d'un échantillon avec un premier faisceau d'électrons de faible énergie et génère ensuite une seconde image de faisceau d'électrons obtenue par irradiation d'une seconde région comprenant la première région avec un second faisceau d'électrons de haute énergie, et identifie la position de la première région dans la seconde image de faisceau d'électrons, ce qui permet d'identifier la position du défaut. 本開示は、薄い欠陥やコンタミネーションの影響がある場合においても、欠陥の元素を分析する工程においてその欠陥の位置を特定することができる技術を提供することを目的とする。本開示に係る検査装置は、低いエネルギーの第１電子ビームを試料の欠陥を含む第１領域に対して照射した後、前記第１領域を含む第２領域に対して高いエネルギーの第２電子ビームを照射することにより得られる第２電子ビーム画像を生成し、前記第２電子ビーム画像内における前記第１領域の位置を特定することにより、前記欠陥の位置を特定する（図４参照）。