INCREASING DEPOSITION RATES OF OXIDE FILMS

Various embodiments include a method for increasing a deposition rate of, for example, an atomic-layer deposition (ALD)- produced film onto a surface of a substrate. In one exemplary embodiment, the method includes placing the substrate in a deposition chamber, introducing a precursor gas into the deposition chamber, evacuating at least a portion of remaining precursor-gas molecules from the deposition chamber, applying a radio-frequency (RF) conversion to the substrate in the deposition chamber, performing a plasma-species RF purge, and introducing a hydrogen (Fh) gas into the deposition chamber during one or more of the operations including introducing the precursor gas into the deposition chamber, evacuating at least the portion of remaining precursor-gas molecules from the deposition chamber, applying the RF conversion step to the substrate in the deposition chamber, and performing the plasma-species RF purge. Other methods are disclosed. Divers modes de réalisation de l'invention comprennent un procédé destiné à augmenter un taux de dépôt, par exemple, d'un film produit par dépôt de couches atomiques (ALD) sur une surface d'un substrat. Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le procédé consiste à placer le substrat dans une chambre de dépôt, introduire un gaz précurseur dans la chambre de dépôt, évacuer au moins une partie des molécules de gaz précurseur restantes de la chambre de dépôt, appliquer une conversion radiofréquence (RF) au substrat dans la chambre de dépôt, réaliser une purge RF d'espèces du plasma, et introduire un gaz d'hydrogène (Fh) dans la chambre de dépôt lors d'une ou plusieurs des opérations consistant à introduire un gaz précurseur dans la chambre de dépôt, évacuer au moins la partie des molécules de gaz précurseur restantes de la chambre de dépôt, appliquer l'étape de conversion RF au substrat dans la chambre de dépôt, et réaliser la purge RF d'espèces du plasma. D'autres procédés sont également divulgués.