EXHAUST GAS PURIFICATION CATALYST

The present invention provides a novel exhaust gas purification catalyst having improved performance for purifying HC and CO in a rich atmosphere. The exhaust gas purification catalyst disclosed in the present invention comprises a substrate, a catalyst layer provided on the substrate, and a reforma...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: TODA, Yosuke, HIRAO, Tetsuhiro, OSEKI, Takehisa
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention provides a novel exhaust gas purification catalyst having improved performance for purifying HC and CO in a rich atmosphere. The exhaust gas purification catalyst disclosed in the present invention comprises a substrate, a catalyst layer provided on the substrate, and a reformation reaction layer provided on the substrate. The catalyst layer contains a three-way catalyst. The reformation reaction layer contains a hydrogen-generating catalyst. The reformation reaction layer is disposed at a position farther downstream than the catalyst layer in the direction in which exhaust gas flows. La présente invention concerne un nouveau catalyseur d'épuration des gaz d'échappement offrant des performances améliorées pour purifier les HC et le CO dans une atmosphère riche. Le catalyseur d'épuration des gaz d'échappement de la présente invention comprend un substrat, une couche de catalyseur disposée sur le substrat, et une couche de réaction de reformation disposée sur le substrat. La couche de catalyseur contient un catalyseur trois voies. La couche de réaction de reformage contient un catalyseur de génération d'hydrogène. La couche de réaction de reformage est disposée en un point situé davantage en aval que la couche de catalyseur dans la direction dans laquelle s'écoulent les gaz d'échappement. 本発明により、リッチ雰囲気でのHCおよびCOの浄化性能が向上した新規な排ガス浄化用触媒が提供される。ここに開示される排ガス浄化用触媒は、基材と、基材上に設けられた触媒層と、基材上に設けられた改質反応層と、を備える。前記触媒層は、三元触媒を含有する。前記改質反応層は、水素生成触媒を含有する。前記改質反応層は、前記触媒層よりも排ガスの流れ方向の下流側の位置に配置されている。