OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND OPTOELECTRONIC COMPONENT

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterelement mit folgenden Merkmalen angegeben: - einen Halbleiterchip (1) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, der eine Strahlungsauskoppelfläche (11) aufweist, über die im Betrieb eine erste elektromagnetische Strahlung (41) in einem ersten Wellenlän...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: RICHTER, Daniel, PETERSEN, Gunnar, SCHWALENBERG, Simon
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Es wird ein optoelektronisches Halbleiterelement mit folgenden Merkmalen angegeben: - einen Halbleiterchip (1) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, der eine Strahlungsauskoppelfläche (11) aufweist, über die im Betrieb eine erste elektromagnetische Strahlung (41) in einem ersten Wellenlängenbereich abgestrahlt wird, und - eine Konversionsschicht (2), die direkt auf der Strahlungsauskoppelfläche (11) des Halbleiterchips (1) angeordnet ist, wobei - die Konversionsschicht (2) die Strahlungsauskoppelfläche (11) vollständig bedeckt und eine Hauptfläche (21) aufweist, die der Strahlungsauskoppelfläche (11) gegenüberliegt, wobei - die Konversionsschicht (2) zumindest einen Leuchtstoff umfasst, der zur Konversion zumindest eines Teils der ersten elektromagnetischen Strahlung (41) in eine zweite elektromagnetische Strahlung (42) eines zweiten Wellenlängenbereichs eingerichtet ist, wobei - der zweite Wellenlängenbereich vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist, und - ein optisches Rückkoppelelement (3), das direkt auf der Hauptfläche (21) der Konversionsschicht (2) angeordnet ist, wobei - das optische Rückkoppelelement (3) zur Reflexion zumindest eines Teils der ersten und/oder der zweiten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist, und - das optische Rückkoppelelement (3) eine Vielzahl von Öffnungen (31) aufweist, durch die Bereiche der Hauptfläche (21) der Konversionsschicht (2) frei liegen. Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. The invention relates to an optoelectronic semiconductor element comprising the following features: - a semiconductor chip (1) for generating electromagnetic radiation, which chip has: a radiation decoupling surface (11) via which first electromagnetic radiation (41) is emitted in a first wavelength range during operation; - a conversion layer (2) which is disposed directly on the radiation decoupling surface (11) of the semiconductor chip (1), wherein - the conversion layer (2) completely covers the radiation decoupling surface (11) and has a main surface (21) which is opposite the radiation decoupling surface (11), wherein - the conversion layer (2) comprises at least one luminescent substance which is designed to convert at least a portion of the first electromagnetic radiation (41) into second electromagnetic radiation (42) of a second wavelength range, and wherein - the second wavelength range is different from the first wavelength range; and - an optical feedback element (3) which is dispose