SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention provides a semiconductor device wherein the quality of bonding between a substrate and a semiconductor element by the intermediary of a sintered metal layer has been improved. This semiconductor device is provided with a substrate, a sintered metal layer and a semiconductor element; the semiconductor element and the substrate are bonded to each other by the intermediary of the sintered metal layer, while being electrically connected to each other; the sintered metal layer has a cross-sectional void fraction of 2% or less; the sintered metal layer contains a plurality of crystal grains; and a non-bonded part, which is a portion where crystal grains are not present, is formed with a size having a diameter of 100 nm or less at the boundary interface among the crystal grains within the sintered metal layer. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel la qualité de liaison entre un substrat et un élément semi-conducteur par l'intermédiaire d'une couche métallique frittée a été améliorée. Ce dispositif à semi-conducteur comporte un substrat, une couche métallique frittée et un élément semi-conducteur ; l'élément semi-conducteur et le substrat sont liés l'un à l'autre par l'intermédiaire de la couche métallique frittée, tout en étant électriquement connectés l'un à l'autre ; la couche métallique frittée a une fraction de vide en coupe transversale inférieure ou égale à 2 % ; la couche métallique frittée contient une pluralité de grains cristallins ; et une partie non liée, qui est une partie où des grains cristallins ne sont pas présents, est formée avec une taille ayant un diamètre inférieur ou égal à 100 nm au niveau de l'interface de délimitation parmi les grains cristallins à l'intérieur de la couche métallique frittée. 基板と半導体素子との焼結金属層を介した接合の品質が改善された半導体装置を提供する。半導体装置は、基板と、焼結金属層と、半導体素子と、を備え、半導体素子と基板とは、焼結金属層を介して、接合され、かつ、電気的に接続され、焼結金属層の断面空孔率は２％以下であり、焼結金属層は複数の結晶粒を含み、焼結金属層内において、結晶粒同士の間の界面に、結晶粒が存在しない部分である未接合部が直径１００ｎｍ以下のサイズで形成されている。