TIME-DOMAIN OPTICAL METROLOGY AND INSPECTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for semiconductor device metrology. The method may include creating a time-domain representation of wavelength-domain measurement data of light reflected by a three dimensional (3D) patterned structure of a semiconductor device; selecting one or more relevant peaks of the time-domain representation and at least one irrelevant portion of the time-domain representation. One or more relevant peaks occur during one or more relevant time periods; and are associated with corresponding relevant reference peaks that are associated with different versions of a reference 3D patterned structure. L'invention concerne un procédé de métrologie de dispositif à semi-conducteur. Le procédé peut consister à créer une représentation dans le domaine temporel de données de mesure de domaine de longueur d'onde de la lumière réfléchie par une structure à motifs tridimensionnels (3D) d'un dispositif à semi-conducteur; sélectionner un ou plusieurs pics pertinents de la représentation dans le domaine temporel et au moins une partie non pertinente de la représentation dans le domaine temporel. Un ou plusieurs pics pertinents se produisent pendant une ou plusieurs périodes pertinentes; et sont associés à des pics de référence pertinents correspondants qui sont associés à différentes versions d'une structure à motifs 3D de référence.