METHOD FOR SIMULTANEOUSLY CUTTING A PLURALITY OF DISKS FROM A WORKPIECE

A method cuts semiconductor wafers. The method includes: cutting a semiconductor ingot into a workpiece; and sawing the workpiece into slices using a wire grid having a fixed abrasive grain wire, while moving workpiece towards the wire grid. At a first contact of the workpiece with the wire grid, an initial cutting speed is less than 2 mm/min, coolant flow is less than 0.1 l/h and a wire speed is greater than 20 m/s. The workpiece is then guided through the wire grid until a first cutting depth is reached, and then the coolant flow is increased to at least 2000 l/h. The cutting speed is reduced to less than 70% of the initial cutting speed between the first contact of the workpiece with the wire grid up to a cutting depth of half a diameter of the cylinder, and is then increased. Un procédé coupe des tranches de semi-conducteur. Le procédé comprend : la coupe d'un lingot semi-conducteur en une pièce ; et le sciage de la pièce en tranches à l'aide d'une grille métallique ayant un fil à grains abrasifs fixe, tout en déplaçant la pièce vers la grille métallique. Au niveau d'un premier contact de la pièce avec la grille métallique, une vitesse de coupe initiale est inférieure à 2 mm/min, un flux de liquide de refroidissement est inférieur à 0,1 l/h et une vitesse de fil est supérieure à 20 m/s. La pièce est ensuite guidée à travers la grille métallique jusqu'à ce qu'une première profondeur de coupe soit atteinte, puis le flux de liquide de refroidissement est augmenté jusqu'à au moins 2 000 l/h. La vitesse de coupe est réduite à moins de 70 % de la vitesse de coupe initiale entre le premier contact de la pièce et la grille métallique jusqu'à une profondeur de coupe de la moitié d'un diamètre du cylindre, et est ensuite augmentée.