MEMORY HAVING FLYING BITLINES FOR IMPROVED BURST MODE READ OPERATIONS

Memory systems having flying bitlines for improved burst mode read operations and related methods are provided. A memory system comprises a memory array including a first set of memory cells coupled to a first inner wordline and a second set of memory cells coupled to a first outer wordline. The mem...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KOLAR, Pramod, LILES, Stephen
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Memory systems having flying bitlines for improved burst mode read operations and related methods are provided. A memory system comprises a memory array including a first set of memory cells coupled to a first inner wordline and a second set of memory cells coupled to a first outer wordline. The memory system includes a control unit configured to generate control signals for simultaneously: asserting a first wordline signal on the first inner wordline coupled to each of a plurality of inner bitlines, and asserting a second wordline signal on the first outer wordline coupled to each of a plurality of outer bitlines, where each of the plurality of outer bitlines includes a first portion configured to fly over or fly under a corresponding inner bitline, and outputting data from each of the first set of memory cells and the second set of memory cells as part of a burst. Des systèmes de mémoire comportant des lignes de bits volantes pour des opérations de lecture en mode rafale améliorées et des procédés associés sont divulgués. Un système de mémoire comprend un réseau de mémoire comprenant un premier ensemble de cellules de mémoire couplées à une première ligne de mots interne et un second ensemble de cellules de mémoire couplées à une première ligne de mots externe. Le système de mémoire comprend une unité de commande configurée pour générer des signaux de commande pour simultanément : affirmer un premier signal de ligne de mots sur la première ligne de mots interne couplée à chacune d'une pluralité de lignes de bits internes, et affirmer un second signal de ligne de mots sur la première ligne de mots externe couplée à chacune d'une pluralité de lignes de bits externes, chacune de la pluralité de lignes de bits externes comprenant une première partie configurée pour flotter sur ou flotter sous une ligne de bits interne correspondante, et délivrer en sortie des données à partir de chacun du premier ensemble de cellules de mémoire et du second ensemble de cellules de mémoire en tant que partie d'une rafale.