MEMORY SYSTEM WITH BURST MODE HAVING LOGIC GATES AS SENSE ELEMENTS
Memory systems with burst mode having logic gates as sense elements and related methods are provided. A memory system comprises a memory array including a first set of memory cells coupled to a first wordline, a second set of memory cells coupled to a second wordline, and a plurality of sense elemen...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | Memory systems with burst mode having logic gates as sense elements and related methods are provided. A memory system comprises a memory array including a first set of memory cells coupled to a first wordline, a second set of memory cells coupled to a second wordline, and a plurality of sense elements, not including any sense amplifiers. The control unit is configured to generate control signals for: in response to a burst mode read request, simultaneously: (1) asserting a first wordline signal on the first wordline coupled to each of a plurality of first set of bitlines, and (2) asserting a second wordline signal on the second wordline coupled to each of a plurality of second set of bitlines, and as part of a burst, outputting data corresponding to a subset of each of the first set of memory cells and the second set of memory cells.
Des systèmes de mémoire à mode rafale comportant des portes logiques en tant qu'éléments de détection et des procédés associés sont divulgués. Un système de mémoire comprend un réseau de mémoire comprenant un premier ensemble de cellules de mémoire couplées à une première ligne de mots, un second ensemble de cellules de mémoire couplées à une seconde ligne de mots, et une pluralité d'éléments de détection, ne comprenant pas d'amplificateurs de détection. L'unité de commande est configurée pour générer des signaux de commande pour : en réponse à une demande de lecture en mode rafale, simultanément : (1) affirmer un premier signal de ligne de mots sur la première ligne de mots couplée à chaque ensemble de lignes de bits d'une pluralité de premiers ensembles de lignes de bits, et (2) affirmer un second signal de ligne de mots sur la seconde ligne de mots couplée à chaque ensemble de lignes de bits d'une pluralité de seconds ensembles de lignes de bits, et en tant que partie d'une rafale, délivrer en sortie des données correspondant à un sous-ensemble de chacun du premier ensemble de cellules de mémoire et du second ensemble de cellules de mémoire. |
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