PLASMA PROCESSING DEVICE

Provided is a plasma processing device including a processing chamber 2 and a gas supply device 30 for supplying a gas for processing into the processing chamber 2. The gas supply device 30 includes a mass flow controller box 40 having an intake opening 41 and an exhaust opening 42, a plurality of pipes 43 to each of which a mass flow controller (43a) is attached, and a plurality of pipes 52 joined to the plurality of pipes 43 inside of the mass flow controller box 40 and joined, outside of the mass flow controller box 40 via a plurality of joints 53, to a plurality of pipes 54 being supply sources of the gas for processing. At least one of the plurality of joints 53 is covered by a pipe cover 60 so that the joint 53 is sealed. The inside of the pipe cover 60 and the inside of the mass flow controller box 40 communicates with each other via a communicating member (outer peripheral pipes 61 and tubes 62). L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant une chambre de traitement 2 et un dispositif d'alimentation en gaz 30 pour fournir un gaz à traiter dans la chambre de traitement 2. Le dispositif d'alimentation en gaz 30 comprend un boîtier de régulateur de débit de masse 40 ayant une ouverture d'admission 41 et une ouverture d'échappement 42, une pluralité de tuyaux 43 à chacun desquels un régulateur de débit massique (43a) est fixé, et une pluralité de tuyaux 52 raccordés à la pluralité de tuyaux 43 à l'intérieur de la boîtier de régulateur de débit de masse 40 et reliés, à l'extérieur du boîtier de régulateur de débit de masse 40 par l'intermédiaire d'une pluralité de joints 53, à une pluralité de tuyaux 54 qui sont des sources d'alimentation du gaz pour le traitement. Au moins l'une de la pluralité de joints 53 est recouverte par un couvercle de tuyau 60 de telle sorte que le joint 53 est scellé. L'intérieur du couvercle de tuyau 60 et l'intérieur du boîtier de régulateur de débit de masse 40 communiquent l'un avec l'autre par l'intermédiaire d'un élément de communication (tuyaux périphériques externes 61 et tubes 62). プラズマ処理装置は、処理室２と、処理用ガスを処理室２の内部へ供給するためのガス供給装置３０とを備える。ガス供給装置３０は、吸気口４１および排気口４２を有するマスフローコントローラボックス４０と、それぞれにマスフローコントローラ（４３ａ）が取り付けられた複数の配管４３と、マスフローコントローラボックス４０の内部において複数の配管４３に連結され、且つ、マスフローコントローラボックス４０の外部において、処理用ガスの供給源となる複数の配管５４に、複数の継手５３によって連結された複数の配管５２と、を有する。複数の継手５３のうち少なくとも１つは、継手５３が密閉されるように、配管カバー６０によって覆われている。配管カバー６０の内部およびマスフローコントローラボックス４０の内部は、連通部材（外周配管６１、チューブ６２）によって連通している。