HALF-BRIDGE, POWER MODULE, AND INVERTER FOR AN ELECTRIC DRIVE OF AN ELECTRIC VEHICLE OR A HYBRID VEHICLE

Halbbrücke (10) für einen Inverter zum Betreiben eines elektrischen Antriebs in einem Elektrofahrzeug oder einem Hybridfahrzeug, umfassend ein Substrat, mehrere Halbleiterschaltelemente, mehrere Leistungsanschlüsse (12, 14, 16) und mehrere Signalanschlüsse (18) umfassen, wobei die Signalanschlüsse (18) derart an die Halbleiterschaltelemente elektrisch angebunden sind, dass die Halbleiterschaltelemente über die Signalanschlüsse (18) schaltbar sind, wobei die Leistungsanschlüsse (12, 14, 16) derart an die Halbleiterschaltelemente elektrisch angebunden sind, dass die Halbleiterschaltelemente eine elektrische Leistungsübertragung zwischen den Leistungsanschlüssen (12, 14, 16) zulassen oder unterbrechen, wobei das Substrat und die Halbleiterschaltelemente mit einer Vergussmasse (20) vergossen sind, die eine zum Substrat parallele erste Fläche (202) aufweist, wobei die Signalanschlüsse (18) jeweils zweiteilig mit einem ersten Abschnitt (182) und einem zweiten Abschnitt (184) ausgebildet sind, wobei der erste Abschnitt (182) aus der Vergussmasse (20) herausschaut, wobei der zweite Abschnitt (184) in einem Rahmenteil (22) vormontiert ist, welches zum Abstützen der Signalanschlüsse (18) dient, wobei der zweite Abschnitt (184) zum Zusammenfügen des Rahmenteils (22) mit der Vergussmasse (20) an den dazugehörigen zweiten Abschnitt (182) angebunden ist. The invention relates to a half-bridge (10) for an inverter for operating an electric drive in an electric vehicle or a hybrid vehicle, comprising a substrate, multiple semiconductor switch elements, multiple power connections (12, 14, 16), and multiple signal connections (18). The signal connections (18) are electrically connected to the semiconductor switch elements such that the semiconductor switch elements can be switched via the signal connections (18), wherein the power connections (12, 14, 16) are electrically connected to the semiconductor switch elements such that the semiconductor switch elements allow or interrupt a transmission of electric power between the power connections (12, 14, 16), and the substrate and the semiconductor switch elements are potted with a potting compound (20) which has a first surface (202) that is parallel to the substrate. Each signal connection (18) is designed in two parts, a first section (182) and a second section (184). The first section (182) protrudes from the potting compound (20), and the second section (184) is preassembled in a frame part (22) which is used to support th